- Tytuł:
-
TCAD simulation study of
heavy ion radiation effects on hetero junctionless tunnel field effect transistor. - Autorzy:
- Źródło:
- Scientific Reports. 4/1/2024, Vol. 14 Issue 1, p1-13. 13p.
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.