Temat: "HETEROSTRUCTURES" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Collective formation of misfit dislocations at the critical thickness for equilibrium nanowire heterostructures.
Autorzy:: Særkjær, Tobias (AUTHOR)
Christian Thann, Thue (AUTHOR)
Schuwalow, Sergej (AUTHOR)
Krogstrup, Peter (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Nov2023, Vol. 622, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Impact of growth conditions on AlN/GaN heterostructures with in-situ SiN capping layer.
Autorzy:: Kanyandekwe, Joël (AUTHOR)
Baines, Yannick (AUTHOR)
Richy, Jérôme (AUTHOR)
Favier, Sylvie (AUTHOR)
Leroux, Charles (AUTHOR)
Blachier, Denis (AUTHOR)
Mazel, Yann (AUTHOR)
Veillerot, Marc (AUTHOR)
Barnes, Jean-Paul (AUTHOR)
Mrad, Mrad (AUTHOR)
Wiese, Cindy (AUTHOR)
Charles, Matthew (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Jun2019, Vol. 515, p48-52. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Epitaxial growth of Co2FeSi/MgO/GaAs(0 0 1) heterostructures using molecular beam epitaxy.
Autorzy:: Hoffmann, G.
Jenichen, B.
Herfort, J.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Apr2019, Vol. 512, p194-197. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Interactions between Sb and As on InAs(0 0 1) surfaces.
Autorzy:: Anderson, Evan M.
Millunchick, Joanna M.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Oct2018, Vol. 500, p68-73. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Assessment of the growth/etch back technique for the production of Ge strain-relaxed buffers on Si.
Autorzy:: Hartmann, J.M.
Aubin, J.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Apr2018, Vol. 488, p43-50. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Heterointerface study of InAs/GaSb nanoridge heterostructures grown by metal organic chemical vapor deposition on V-grooved Si (0 0 1) substrates.
Autorzy:: Lai, Billy
Li, Qiang
Lau, Kei May; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Feb2018, Vol. 484, p12-16. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Growth method for AIIIBV and AIVBVI heterostructures.
Autorzy:: Fedorchenko, I.V.
Kushkov, A.R.
Gaev, D.S.
Rabinovich, O.I.
Marenkin, S.F.
Didenko, S.I.
Legotin, S.A.
Orlova, M.N.
Krasnov, A.A.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Feb2018, Vol. 483, p245-250. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: A comparative study of heterostructured CuO/CuWO4 nanowires and thin films.
Autorzy:: Polyakov, Boris
Kuzmin, Alexei
Vlassov, Sergei
Butanovs, Edgars
Zideluns, Janis
Butikova, Jelena
Kalendarev, Robert
Zubkins, Martins; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Dec2017, Vol. 480, p78-84. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Optical spectroscopy analysis of the near surface depletion layer in AlGaAs/GaAs heterostructures grown by MBE.
Autorzy:: Cortes-Mestizo, I.E.
Briones, E.
Yee-Rendón, C.M.
Zamora Peredo, L.
Espinosa-Vega, L.I.
Droopad, R.
Méndez-García, Victor H.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Nov2017, Vol. 477, p59-64. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE.
Autorzy:: Arimoto, Keisuke
Yagi, Sosuke
Yamanaka, Junji
Hara, Kosuke O.
Sawano, Kentarou
Usami, Noritaka
Nakagawa, Kiyokazu; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Jun2017, Vol. 468, p625-629. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Growth and characterization of broad spectrum infrared emitting GaInAsP/InP heterostructures.
Autorzy:: Rakovics, V.
Nádas, J.
Réti, I.
Dücső, Cs.
Battistig, G.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Jun2017, Vol. 468, p572-575. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Growth and interface engineering in thin-film [formula omitted] heterostructures.
Autorzy:: Radetinac, Aldin
Ziegler, Jürgen
Vafaee, Mehran
Alff, Lambert
Komissinskiy, Philipp; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Apr2017, Vol. 463, p134-138. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Impact of in-situ annealing on dilute-bismide materials and its application to photovoltaics.
Autorzy:: Kim, H.
Forghani, K.
Guan, Y.
Kim, K.
Wood, A.W.
Lee, J.
Babcock, S.E.
Kuech, T.F.
Mawst, L.J.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Oct2016, Vol. 452, p276-280. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Multifractal spectrums for volumes of spatial forms on surface of ZnxCd1−xTe–Si (111) heterostructures and estimation of the fractal surface energy.
Autorzy:: Moskvin, Pavel
Kryzhanivskyy, Vyacheslav
Lytvyn, Petro
Rashkovetskyi, Liubomyr; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Sep2016, Vol. 450, p28-33. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Electrical properties of GaN-based heterostructures adopting InAlN/AlGaN bilayer barriers.
Autorzy:: Xu, Z.Y.
Xu, F.J.
Huang, C.C.
Wang, J.M.
Zhang, X.
Yang, Z.J.
Wang, X.Q.
Shen, B.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Aug2016, Vol. 447, p1-4. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Comparison of semi-insulating InAlAs and InP:Fe for InP-based buried-heterostructure QCLs.
Autorzy:: Flores, Y.V.
Aleksandrova, A.
Elagin, M.
Kischkat, J.
Kurlov, S.S.
Monastyrskyi, G.
Hellemann, J.
Golovynskyi, S.L.
Dacenko, O.I.
Kondratenko, S.V.
Tarasov, G.G.
Semtsiv, M.P.
Masselink, W.T.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Sep2015, Vol. 425, p360-363. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: In-situ monitoring during MBE growth of InAs based heterostructures.
Autorzy:: Bhatnagar, Kunal
Rojas-Ramirez, Juan
Caro, Manuel
Contreras, Rocio
Henninger, Bernd
Droopad, Ravi; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Sep2015, Vol. 425, p16-20. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Si-doped AlGaAs/GaAs(6 3 1)A heterostructures grown by MBE as a function of the As-pressure.
Autorzy:: Méndez-García, Víctor-Hugo
Shimomura, S.
Gorbatchev, A.Yu.
Cruz-Hernández, E.
Vázquez-Cortés, D.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Sep2015, Vol. 425, p85-88. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Nanoheterostructures with InSb quantum dashes inserted in the InAs unipolar matrix.
Autorzy:: Moiseev, K.D.
Romanov, V.V.
Dement׳ev, P.A.
Ivanov, E.V.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Mar2015, Vol. 414, p177-180. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Growth initiation for buried-heterostructure quantum-cascade laser regrowth by gas-source molecular-beam epitaxy.
Autorzy:: Flores, Y.V.
Elagin, M.
Kurlov, S.S.
Aleksandrova, A.
Monastyrskyi, G.
Kischkat, J.
Semtsiv, M.P.
Masselink, W.T.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Jul2014, Vol. 398, p40-44. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""HETEROSTRUCTURES"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Język

Rok publikacji