Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Hagedorn, Sylvia"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-16 z 16
    Tytuł:
    Radiative Recombination and Carrier Injection Efficiencies in 265 nm Deep Ultraviolet Light‐Emitting Diodes Grown on AlN/Sapphire Templates with Different Defect Densities.
    Autorzy:
    Muhin, Anton
    Guttmann, Martin
    Montag, Verena
    Susilo, Norman
    Ziffer, Eviathar
    Sulmoni, Luca
    Hagedorn, Sylvia
    Lobo-Ploch, Neysha
    Rass, Jens
    Cancellara, Leonardo
    Wu, Shaojun
    Wernicke, Tim
    Kneissl, Michael
    Pokaż więcej
    Temat:
    SAPPHIRES
    LIGHT emitting diodes
    DISLOCATION density
    QUANTUM efficiency
    ELECTRO-optical effects
    ELECTROLUMINESCENCE
    Źródło:
    Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2023, Vol. 220 Issue 16, p1-7, 7p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Tripling the light extraction efficiency of a deep ultraviolet LED using a nanostructured p-contact.
    Autorzy:
    López-Fraguas, Eduardo
    Binkowski, Felix
    Burger, Sven
    Hagedorn, Sylvia
    García-Cámara, Braulio
    Vergaz, Ricardo
    Becker, Christiane
    Manley, Phillip
    Pokaż więcej
    Temat:
    LIGHT absorption
    LIGHT emitting diodes
    PLATINUM
    Źródło:
    Scientific Reports; 7/7/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-11, 11p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Molten Barium Hydroxide as Defect Selective Drop Etchant for Dislocation Analysis on Aluminum Nitride Layers.
    Autorzy:
    Matiwe, Lucinda
    Hartmann, Carsten
    Cancellara, Leonardo
    Bickermann, Matthias
    Klump, Andrew
    Wollweber, Jürgen
    Hagedorn, Sylvia
    Weyers, Markus
    Straubinger, Thomas
    Pokaż więcej
    Temat:
    ALUMINUM nitride
    ALUMINUM analysis
    ATOMIC force microscopy
    SCANNING electron microscopy
    ETCHING reagents
    BARIUM
    Źródło:
    Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2022, Vol. 219 Issue 7, p1-6, 6p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Comparison of Ultraviolet B Light-Emitting Diodes with Single or Triple Quantum Wells.
    Autorzy:
    Kolbe, Tim
    Knauer, Arne
    Ruschel, Jan
    Rass, Jens
    Cho, Hyun Kyong
    Hagedorn, Sylvia
    Glaab, Johannes
    Ploch, Neysha Lobo
    Einfeldt, Sven
    Weyers, Markus
    Pokaż więcej
    Temat:
    LIGHT emitting diodes
    QUANTUM wells
    ELECTRON-hole recombination
    STARK effect
    AUGER effect
    ELECTROLUMINESCENCE
    HETEROSTRUCTURES
    Źródło:
    Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Jul2021, Vol. 218 Issue 14, p1-6, 6p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Improved Efficiency of Ultraviolet B Light‐Emitting Diodes with Optimized p‐Side.
    Autorzy:
    Kolbe, Tim
    Knauer, Arne
    Rass, Jens
    Cho, Hyun Kyong
    Mogilatenko, Anna
    Hagedorn, Sylvia
    Lobo Ploch, Neysha
    Einfeldt, Sven
    Weyers, Markus
    Pokaż więcej
    Temat:
    SCANNING transmission electron microscopy
    LIGHT emitting diodes
    OPTICAL lattices
    Źródło:
    Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Oct2020, Vol. 217 Issue 20, p1-6, 6p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Impact of High‐Temperature Annealing on Boron Containing AlN Layers Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy.
    Autorzy:
    Rettig, Oliver
    Scholz, Ferdinand
    Li, Yueliang
    Biskupek, Johannes
    Kaiser, Ute
    Hagedorn, Sylvia
    Weyers, Markus
    Müller, Raphael
    Thonke, Klaus
    Pokaż więcej
    Temat:
    METAL organic chemical vapor deposition
    ELECTRON energy loss spectroscopy
    BORON
    CRYSTAL structure
    CRYSTAL orientation
    Źródło:
    Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; 8/15/2020, Vol. 217 Issue 16, p1-8, 8p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Status and Prospects of AlN Templates on Sapphire for Ultraviolet Light‐Emitting Diodes.
    Autorzy:
    Hagedorn, Sylvia
    Walde, Sebastian
    Knauer, Arne
    Susilo, Norman
    Pacak, Daniel
    Cancellara, Leonardo
    Netzel, Carsten
    Mogilatenko, Anna
    Hartmann, Carsten
    Wernicke, Tim
    Kneissl, Michael
    Weyers, Markus
    Pokaż więcej
    Temat:
    LIGHT emitting diodes
    DISLOCATION density
    BUFFER layers
    SAPPHIRES
    Źródło:
    Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Jul2020, Vol. 217 Issue 14, p1-11, 11p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Improving AlN Crystal Quality and Strain Management on Nanopatterned Sapphire Substrates by High‐Temperature Annealing for UVC Light‐Emitting Diodes.
    Autorzy:
    Hagedorn, Sylvia
    Walde, Sebastian
    Susilo, Norman
    Netzel, Carsten
    Tillner, Nadine
    Unger, Ralph-Stephan
    Manley, Phillip
    Ziffer, Eviathar
    Wernicke, Tim
    Becker, Christiane
    Lugauer, Hans-Jürgen
    Kneissl, Michael
    Weyers, Markus
    Pokaż więcej
    Temat:
    SAPPHIRES
    ANNEALING of metals
    DIODES
    DISLOCATION density
    CRYSTALS
    EPITAXY
    Źródło:
    Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2020, Vol. 217 Issue 7, p1-7, 7p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-16 z 16

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies