Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Hersam, Mark C."" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Moiré synaptic transistor with room-temperature neuromorphic functionality
Autorzy:
Yan, Xiaodong
Zheng, Zhiren
Sangwan, Vinod K.
Qian, Justin H.
Wang, Xueqiao
Liu, Stephanie E.
Watanabe, Kenji
Taniguchi, Takashi
Xu, Su-Yang
Jarillo-Herrero, PabloAff2, IDs41586023067911_cor10
Ma, QiongAff6, Aff7, IDs41586023067911_cor11
Hersam, Mark C.Aff1, Aff8, Aff9, IDs41586023067911_cor12
Pokaż więcej
Źródło:
Nature: International weekly journal of science. 624(7992):551-556
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Chemomechanical modification of quantum emission in monolayer WSe2
Autorzy:
Utama, M. Iqbal Bakti
Zeng, Hongfei
Sadhukhan, TumpaAff3, Aff9
Dasgupta, Anushka
Gavin, S. Carin
Ananth, Riddhi
Lebedev, Dmitry
Wang, Wei
Chen, Jia-ShiangAff4, Aff5
Watanabe, Kenji
Taniguchi, Takashi
Marks, Tobin J.Aff1, Aff3
Ma, XuedanAff4, Aff5
Weiss, Emily A.
Schatz, George C.Aff3, IDs41467023378920_cor15
Stern, Nathaniel P.Aff2, IDs41467023378920_cor16
Hersam, Mark C.Aff1, Aff3, Aff8, IDs41467023378920_cor17
Pokaż więcej
Źródło:
Nature Communications. 14(1)
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Resilience of monolayer MoS2 memtransistor under heavy ion irradiation
Autorzy:
Smyth, Christopher M.Aff1, IDs4357802200642x_cor1
Cain, John M.
Lang, Eric J.Aff1, Aff2
Lu, Ping
Yan, Xiaodong
Liu, Stephanie E.
Yuan, Jiangtan
Bland, Matthew P.
Madden, Nathan J.
Ohta, Taisuke
Sangwan, Vinod K.
Hersam, Mark C.Aff3, Aff4, Aff5
Hattar, KhalidAff1, Aff6
Chou, Stanley S.
Lu, Tzu-MingAff1, Aff6
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Materials Research. 37(17):2723-2737
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies