Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Heterojunction"" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Preparation of N-Si-P-GaSe Heterojunctions Based on an Amorphous GaSe Layer Without Impurities and Study of Their Electrical Properties
    Autorzy:
    Rahim Salim Madatov
    A.S. Alekperov
    F.N. Nurmammadova
    Narmin A. Ismayilova
    Sakin H. Jabarov
    Pokaż więcej
    Temat:
    gase
    thin film
    heterojunction
    electrophysical properties
    Physics
    QC1-999
    Źródło:
    East European Journal of Physics, Iss 1, Pp 322-326 (2024)
    Opis pliku:
    electronic resource
    Relacje:
    https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/22516; https://doaj.org/toc/2312-4334; https://doaj.org/toc/2312-4539
    Dostęp URL:
    https://doaj.org/article/c5b986b0c1c9452793bab7c4aab63a60  Link otwiera się w nowym oknie
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Enhanced Electron Transport in Epitaxial Annealed Graphene Titanium Dioxide Heterojunction
    Autorzy:
    Nelson Mugambi
    James Mbiyu Ngaruiya
    Simon Waweru Mugo
    Pokaż więcej
    Temat:
    graphene
    titanium dioxide
    annealing rates
    transition
    heterojunction
    Science
    Źródło:
    Traektoriâ Nauki, Vol 9, Iss 5, Pp 2001-2012 (2023)
    Opis pliku:
    electronic resource
    Relacje:
    https://pathofscience.org/index.php/ps/article/view/2503; https://doaj.org/toc/2413-9009
    Dostęp URL:
    https://doaj.org/article/ad360de7cbfb4124a92ac04a42278a57  Link otwiera się w nowym oknie
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    The barrier capacitance of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterojunction
    Autorzy:
    O.G. Grushka
    S. M. Chupyra
    O.M. Myslyuk
    O.M. Slyotov
    Pokaż więcej
    Temat:
    heterojunction
    barrier capacitance
    capacitance-voltage characteristic
    structural defects
    Physics
    QC1-999
    Źródło:
    Фізика і хімія твердого тіла, Vol 23, Iss 3, Pp 450-453 (2022)
    Opis pliku:
    electronic resource
    Relacje:
    https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/5744; https://doaj.org/toc/1729-4428; https://doaj.org/toc/2309-8589
    Dostęp URL:
    https://doaj.org/article/52213f57d6a946fba39de91e438cb309  Link otwiera się w nowym oknie
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Electrical and Photoelectric Properties of Organic-Inorganic Heterojunctions PEDOT:PSS/n-CdTe
    Autorzy:
    Hryhorii Parkhomenko
    Mykhailo Solovan
    Andrii Mostovyi
    Ivan Orletskyi
    Viktor Brus
    Pokaż więcej
    Temat:
    pedot:pss
    cdte
    heterojunction
    photodetector
    current transport
    Physics
    QC1-999
    Źródło:
    East European Journal of Physics, Iss 4, Pp 43-48 (2021)
    Opis pliku:
    electronic resource
    Relacje:
    https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/18034; https://doaj.org/toc/2312-4334; https://doaj.org/toc/2312-4539
    Dostęp URL:
    https://doaj.org/article/b4ffea59dba94819ae9bef4f747ba31e  Link otwiera się w nowym oknie
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Nanocomposite solar cells based on organic/inorganic (clonidine/Si) heterojunction with plasmonic Au nanoparticles
    Autorzy:
    S. Mamykin
    I. Mamontova
    N. Kotova
    O. Kondratenko
    T. Barlas
    V. Romanyuk
    P. P. Smertenko
    N. Roshchina
    Pokaż więcej
    Temat:
    nanocomposite
    organic/inorganic heterojunction
    silicon
    gold nanoparticles
    clonidine
    electron and hole injection
    dimensionless sensitivity
    solar cell
    Physics
    QC1-999
    Źródło:
    Фізика і хімія твердого тіла, Vol 21, Iss 3, Pp 390-398 (2020)
    Opis pliku:
    electronic resource
    Relacje:
    https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/3916; https://doaj.org/toc/1729-4428; https://doaj.org/toc/2309-8589
    Dostęp URL:
    https://doaj.org/article/54c0a588994b42e18398e542af7131c3  Link otwiera się w nowym oknie
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Electrical and photoelectrical properties of MoN/n-Si surface-barrier structures
    Autorzy:
    M.M. Solovan
    P.D. Maryanchuk
    Pokaż więcej
    Temat:
    current transport mechanisms
    heterojunction
    molybdenum nitride
    recombination
    silicon
    Electronics
    TK7800-8360
    Źródło:
    Радиофизика и электроника, Vol 24, Iss 2, Pp 49-56 (2019)
    Opis pliku:
    electronic resource
    Relacje:
    http://re-journal.org.ua/sites/default/files/file_attach/2019-2/6.pdf; https://doaj.org/toc/1028-821X; https://doaj.org/toc/2415-3400
    Dostęp URL:
    https://doaj.org/article/4f1f7529354d411ebec5bd4edd24a5d3  Link otwiera się w nowym oknie
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
    Autorzy:
    Jabbar Ganji
    Pokaż więcej
    Temat:
    heterojunction with intrinsic thin layer cell
    high temperature
    thermal behavior
    Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
    TK1-9971
    Źródło:
    Electrical engineering & Electromechanics, Iss 6, Pp 47-52 (2017)
    Opis pliku:
    electronic resource
    Relacje:
    http://eie.khpi.edu.ua/article/view/2074-272X.2017.6.07/111225; https://doaj.org/toc/2074-272X; https://doaj.org/toc/2309-3404
    Dostęp URL:
    https://doaj.org/article/9cb352c7733c40b1a2718f6fd037310c  Link otwiera się w nowym oknie
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    IMPACT IONIZATION IN SHORT ALZGA1–ZN-BASED DIODES
    Autorzy:
    O. V. Botsula
    К. H. Pryhodko
    V. A. Zozulia
    Pokaż więcej
    Temat:
    diodes
    domain
    electric field strength
    graded gap layer
    heterojunction
    impact ionization
    impedance
    Electronics
    TK7800-8360
    Źródło:
    Радиофизика и электроника, Vol 21, Iss 4, Pp 83-88 (2016)
    Opis pliku:
    electronic resource
    Relacje:
    http://re-journal.org.ua/sites/default/files/file_attach/2016-4/13.pdf; https://doaj.org/toc/1028-821X; https://doaj.org/toc/2415-3400
    Dostęp URL:
    https://doaj.org/article/e3a89c0fd79c4b69bc6c24f6580d1e82  Link otwiera się w nowym oknie
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    HETEROSTRUCTURE-BASED DIODE WITH THE CATHODE STATIC DOMAIN
    Autorzy:
    O. V. Botsula
    К. H. Prykhodko
    Pokaż więcej
    Temat:
    domain
    electric field strength
    frequency range
    heterojunction
    impact ionization
    impedance
    Electronics
    TK7800-8360
    Źródło:
    Радиофизика и электроника, Vol 20, Iss 3, Pp 66-71 (2015)
    Opis pliku:
    electronic resource
    Relacje:
    http://re-journal.org.ua/sites/default/files/file_attach/2015-3/9.pdf; https://doaj.org/toc/1028-821X; https://doaj.org/toc/2415-3400
    Dostęp URL:
    https://doaj.org/article/56c08defabf3406e808a343c1f2a69b3  Link otwiera się w nowym oknie
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies