- Tytuł:
- Characterization of plasma-activated, thermally-annealed Si-SiO2 direct bond strength for vapor HF etching
- Autorzy:
- Źródło:
- In Sensors and Actuators: A. Physical 1 December 2023 363
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.