- Tytuł:
- 1-Mbit 3-D DRAM Using a Monolithically Stacked Structure of a Si CMOS and Heterogeneous IGZO FETs
- Autorzy:
- Temat:
-
Extremely low off-state current
heterogeneous OSFETs
monolithic stacking
oxide semiconductor (OS)
planar FET
vertical FET
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971 - Źródło:
- IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 236-242 (2024)
- Opis pliku:
- electronic resource
- Relacje:
- https://ieeexplore.ieee.org/document/10457845/; https://doaj.org/toc/2168-6734
- Dostęp URL:
- https://doaj.org/article/936c403535f14b428f2a5a71bfb5a0ef  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe