- Tytuł:
- Observation of double Shockley stacking fault expansion in heavily-nitrogen-doped 4H-SiC using PL technique
- Autorzy:
- Źródło:
- In Journal of Crystal Growth 15 June 2017 468:889-893
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.