- Tytuł:
- Elimination of the internal electrostatic field in two-dimensional GaN-based semiconductors
- Autorzy:
- Źródło:
- npj 2D Materials and Applications. 4(1)
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.