Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Humphreys, C."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Optical and structural properties of dislocations in InGaN.
Autorzy :
Massabuau, F. C.-P.
Horton, M. K.
Pearce, E.
Hammersley, S.
Chen, P.
Zielinski, M. S.
Weatherley, T. F. K.
Divitini, G.
Edwards, P. R.
Kappers, M. J.
McAleese, C.
Moram, M. A.
Humphreys, C. J.
Dawson, P.
Oliver, R. A.
Pokaż więcej
Temat :
GALLIUM nitride
OPTICAL properties
CATHODOLUMINESCENCE
MOLECULAR dynamics
INDIUM
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2019, Vol. 125 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 10p, 2 Color Photographs, 2 Black and White Photographs, 3 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Vertical leakage mechanism in GaN on Si high electron mobility transistor buffer layers.
Autorzy :
Choi, F. S.
Griffiths, J. T.
Ren, Chris
Guiney, I.
Humphreys, C. J.
Oliver, R. A.
Wallis, D. J.
Lee, K. B.
Zaidi, Z. H.
Houston, P. A.
Pokaż więcej
Temat :
GALLIUM nitride
SCANNING capacitance microscopy
MODULATION-doped field-effect transistors
STRAY currents
STRAINS & stresses (Mechanics)
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 124 Issue 5, p1-7, 7p, 2 Color Photographs, 3 Diagrams, 4 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effect of stacking faults on the photoluminescence spectrum of zincblende GaN.
Autorzy :
Church, S. A.
Hammersley, S.
Mitchell, P. W.
Kappers, M. J.
Lee, L. Y.
Massabuau, F.
Sahonta, S. L.
Frentrup, M.
Shaw, L. J.
Wallis, D. J.
Humphreys, C. J.
Oliver, R. A.
Binks, D. J.
Dawson, P.
Pokaż więcej
Temat :
GALLIUM nitride
PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL vapor deposition
SILICON carbide
WAVE functions
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 18, pN.PAG-N.PAG, 6p, 1 Diagram, 1 Chart, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effects of surface plasma treatment on threshold voltage hysteresis and instability in metal-insulator-semiconductor (MIS) AlGaN/GaN heterostructure HEMTs.
Autorzy :
Zaidi, Z. H.
Lee, K. B.
Roberts, J. W.
Guiney, I.
Qian, H.
Jiang, S.
Cheong, J. S.
Li, P.
Wallis, D. J.
Humphreys, C. J.
Chalker, P. R.
Houston, P. A.
Pokaż więcej
Temat :
METAL insulator semiconductors
MODULATION-doped field-effect transistors
HETEROSTRUCTURES
INDIUM gallium nitride
SURFACE preparation
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 18, pN.PAG-N.PAG, 8p, 8 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Carrier localization in the vicinity of dislocations in InGaN.
Autorzy :
Massabuau, F. C. P.
Chen, P.
Horton, M. K.
Rhode, S. L.
Ren, C. X.
O'Hanlon, T. J.
Kovács, A.
Kappers, M. J.
Humphreys, C. J.
Dunin-Borkowski, R. E.
Oliver, R. A.
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM gallium nitride
ATOMIC force microscopy
LIGHT emitting diodes
METAL organic chemical vapor deposition
NITROGEN analysis
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 121 Issue 1, p1-9, 9p, 1 Color Photograph, 2 Black and White Photographs, 2 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Dislocation core structures in (0001) InGaN.
Autorzy :
Rhode, S. L.
Horton, M. K.
Sahonta, S.-L.
Kappers, M. J.
Haigh, S. J.
Pennycook, T. J.
McAleese, C.
Humphreys, C. J.
Dusane, R. O.
Moram, M. A.
Pokaż więcej
Temat :
GALLIUM nitride
SCANNING transmission electron microscopy
ALLOYS
INDIUM
MONTE Carlo method
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 119 Issue 10, p1-7, 7p, 1 Color Photograph, 1 Black and White Photograph, 3 Diagrams, 1 Chart, 2 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
A comparison of the optical properties of InGaN/GaN multiple quantum well structures grown with and without Si-doped InGaN prelayers.
Autorzy :
Davies, M. J.
Hammersley, S.
Massabuau, F. C.-P.
Dawson, P.
Oliver, R. A.
Kappers, M. J.
Humphreys, C. J.
Pokaż więcej
Temat :
OPTICAL properties
QUANTUM wells
INDIUM gallium nitride
PHOTOLUMINESCENCE
EXCITATION spectrum
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2/7/2016, Vol. 119 Issue 5, p1-8, 8p, 6 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies