Autor: "Hurley, Paul K." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Electronic structure of rare-earth erbium-doped platinum diselenide: A density functional theory study
Autorzy:: Maleki-Ghaleh, Hossein
Moradpur-Tari, Ehsan
Shakiba, Mohammad
Paczesny, Jan
Hurley, Paul K.
Siadati, M. Hossein
Ansari, Lida
Gity, Farzan; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Physics and Chemistry of Solids July 2024 190

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Role of interface and bulk traps on the capacitance–voltage characteristics of WS2/Al2O3/Si capacitors
Autorzy:: Intonti, Kimberly
Coleman, Emma
Blake, Alan
Lyons, Colin
Hydes, Alan
Di Bartolomeo, Antonio
Gity, Farzan
Hurley, Paul K.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics September 2023 207

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Imaging and identification of point defects in PtTe2
Autorzy:: Zhussupbekov, KuanyshAff1, Aff2
Ansari, Lida
McManus, John B.Aff2, Aff4
Zhussupbekova, AinurAff1, Aff2
Shvets, Igor V.Aff1, Aff2
Duesberg, Georg S.Aff4, Aff5
Hurley, Paul K.Aff2, Aff3
Gity, Farzan
Ó Coileáin, CormacAff2, Aff4
McEvoy, NiallAff2, Aff4; Pokaż więcej
Źródło:: npj 2D Materials and Applications. 5(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Examining the relationship between capacitance-voltage hysteresis and accumulation frequency dispersion in InGaAs metal-oxide-semiconductor structures based on the response to post-metal annealing
Autorzy:: Lin, Jun
Monaghan, Scott
Cherkaoui, Karim
Povey, Ian M.
Sheehan, Brendan
Hurley, Paul K.; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronic Engineering 25 June 2017 178:204-208

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Electrical characterization of top-gated molybdenum disulfide field-effect-transistors with high-k dielectrics
Autorzy:: Bolshakov, Pavel
Zhao, Peng
Azcatl, Angelica
Hurley, Paul K.
Wallace, Robert M.
Young, Chadwin D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronic Engineering 25 June 2017 178:190-193

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Emulating synaptic response in n- and p-channel MoS2 transistors by utilizing charge trapping dynamics
Autorzy:: Bhattacharjee, ShubhadeepAff1, Aff3
Wigchering, Rient
Manning, Hugh G.
Boland, John. J.
Hurley, Paul K.; Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 10(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Atomic-Layer-Deposited TiO2–IrOX Nanoscale Thin-Film Electrocatalysts for Water and Chloride Oxidation: Influence of Local Phase Separation.
Autorzy:: Babadi, Aein
Monaghan, Scott
O'Rourke, Christopher
Braun, Michael
Brock, Lindsey
Cheng, Huikai
Tessner, Ted
Hurley, Paul K.
Mills, Andrew
McIntyre, Paul C.; Pokaż więcej
Źródło:: ACS Applied Energy Materials; 6/26/2023, Vol. 6 Issue 12, p6419-6427, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Quantum confinement-induced semimetal-to-semiconductor evolution in large-area ultra-thin PtSe2 films grown at 400 °C
Autorzy:: Ansari, Lida
Monaghan, Scott
McEvoy, Niall
Coileáin, Cormac Ó
Cullen, Conor P.
Lin, Jun
Siris, Rita
Stimpel-Lindner, Tanja
Burke, Kevin F.
Mirabelli, Gioele
Duffy, Ray
Caruso, Enrico
Nagle, Roger E.
Duesberg, Georg S.Aff2, Aff3
Hurley, Paul K.Aff1, Aff4
Gity, Farzan; Pokaż więcej
Źródło:: npj 2D Materials and Applications. 3(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Interface state densities, low frequency noise and electron mobility in surface channel In 0.53Ga 0.47As n-MOSFETs with a ZrO 2 gate dielectric
Autorzy:: Negara, Muhammad Adi
Goel, Niti
Bauza, Daniel
Ghibaudo, Gerard
Hurley, Paul K.; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronic Engineering 2011 88(7):1095-1097

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Low-angle misorientation dependence of the optical properties of InGaAs/InAlAs quantum wells
Autorzy:: Young, Robert J.
Mereni, Lorenzo O.
Petkov, Nikolay
Knight, Gabrielle R.
Dimastrodonato, Valeria
Hurley, Paul K.
Hughes, Greg
Pelucchi, Emanuele; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 2010 312(9):1546-1550

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Hurley, Paul K."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji