Temat: "III/V" - OpacWWW - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Eighty nine‐watt cascaded multistage power amplifier using gallium nitride‐on‐silicon high electron mobility transistor for L‐band radar applications
Autorzy:: Khizar Hayat
Salahuddin Zafar
Tariq Mehmood
Busra Cankaya Akoglu
Ekmel Ozbay
Ahsan Kashif; Pokaż więcej
Temat:: high electron mobility transistors
gallium compounds
III‐V semiconductors
UHF power amplifiers
wide band gap semiconductors
intermodulation
Computer engineering. Computer hardware
TK7885-7895
Źródło:: IET Circuits, Devices and Systems, Vol 15, Iss 8, Pp 830-841 (2021)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/1751-858X; https://doaj.org/toc/1751-8598
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/350dcf142b4f4337a16db41cc95114c4 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Modelling of GaN high electron mobility transistor on diamond substrate
Autorzy:: Anwar Jarndal
Xuekun Du
Yuehang Xu; Pokaż więcej
Temat:: diamond
elemental semiconductors
gallium compounds
high electron mobility transistors
III‐V semiconductors
S‐parameters
Telecommunication
TK5101-6720
Electricity and magnetism
QC501-766
Źródło:: IET Microwaves, Antennas & Propagation, Vol 15, Iss 6, Pp 661-673 (2021)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/1751-8725; https://doaj.org/toc/1751-8733
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/e32e02d9ff1d4fb795225b5f1d148460 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Upping the internal quantum efficiency of green light‐emitting diodes by employing a graded AlGaN barrier and an electron blocking layer
Autorzy:: Muhammad Usman
Abdur‐Rehman Anwar
Munaza Munsif
Ihsan Ullah; Pokaż więcej
Temat:: gallium compounds
wide band gap semiconductors
aluminium compounds
III‐V semiconductors
light emitting diodes
optical materials
Applied optics. Photonics
TA1501-1820
Źródło:: IET Optoelectronics, Vol 15, Iss 1, Pp 69-74 (2021)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/1751-8768; https://doaj.org/toc/1751-8776
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/e839599f599a46818d7fd1f0a22c679d Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: X-parameter modelling of GaN HEMT based on neural network
Autorzy:: Niu Lei
Feiyan Jiang
Lu Sun; Pokaż więcej
Temat:: high electron mobility transistors
wideband amplifiers
microwave circuits
gallium compounds
power amplifiers
backpropagation
neural nets
mathematics computing
iii-v semiconductors
electrical engineering computing
gan
ads software
model prediction data
matlab neural network box
bp neural network
x-parameter generator
gan hemt device cgh40010f
artificial neural network
nonlinearity
large-signal conditions
linear small-signal conditions
microwave circuit
s-parameters
x-parameter modelling
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2019)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2018.9156; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/de6bd0bf0a35400ea40e30a2f58e1c5d Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: High-resolution FPGA-pulse width modulation applied to PFC 2 MHz converter using eGaN field effect transistor
Autorzy:: José Augusto Arbugeri
Cesar Augusto Arbugeri
Samir Ahmad Mussa; Pokaż więcej
Temat:: field programmable gate arrays
power factor correction
PWM power convertors
switching convertors
gallium compounds
III-V semiconductors
wide band gap semiconductors
field effect transistor circuits
bridge circuits
GaN
frequency 2.0 MHz
EPC9003 development board
half-bridge field effect transistor
PFC converter
switch frequency
field-programmable gate array
high-resolution FPGA-pulse width modulation
MAX10 FPGA
on-board gate drives
single-phase power factor correction converter
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2019)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2018.8120; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/03b8b26871b1495bb5a6245e2f046aad Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Three-level GaN inverter with SiC diodes for a possible three-phase high power solution
Autorzy:: F. Aguilar Vega
N. Mukherjee
R. Carter
J. Fuerst
F. Diepold; Pokaż więcej
Temat:: gallium compounds
III-V semiconductors
invertors
wide band gap semiconductors
semiconductor diodes
semiconductor device models
silicon compounds
SiC diodes
three-phase high power solution
GaN device
wide band gap device
high-voltage GaN devices
two-level inverter design
limited switching frequency
power loss
medium-to-high-power level
hard switched GaN inverter
three-phase input applications
three-level GaN inverter
2L structure
voltage 700.0 V
voltage 400.0 V
voltage 480.0 V
SiC
GaN
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2019)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2018.8096; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/01e45f12e6614647ade1e6fcaaeaa32c Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Virtual prototype and GaN HEMT based high frequency LLC converter design
Autorzy:: Long Xiao
Liang Wu
Jun Zhao
Guozhu Chen; Pokaż więcej
Temat:: III-V semiconductors
gallium compounds
wide band gap semiconductors
resonant power convertors
HEMT circuits
virtual prototyping
virtual prototype
gallium nitride high-electron-mobility transistor
fast switch speed
low switch loss
high-frequency LLC converters
voltage stress
ringing problem
fast switching transient
LLC converter design method
iteration design
virtual-prototype-based design method
compact HEMT device model
HEMT based high frequency LLC converter design
circuit model
matching simulation
experiment waveforms
GaN
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2019)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2019.0081; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/91a8989639a84abea049b4a9027f4e23 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Hybrid PV/battery-storage unit for residential applications
Autorzy:: Mina Bagheri-Farahbakhsh
Andrew Cross
Dani Strickland
Paul Morris
Trevor Martin
Tony Lakin; Pokaż więcej
Temat:: air pollution control
III-V semiconductors
power grids
battery storage plants
photovoltaic power systems
distributed power generation
renewable energy sources
power electronics
gallium compounds
power electronic converters
low-carbon technologies
supply voltage distortion
hybrid PV/battery-storage unit
residential applications
lower cost converters
existing silicon-based units
greenhouse gases
LCT
UK legal obligations
rising energy cost
supply security
electrical distribution network
national grid forecast
gone green deployment scenario
gallium nitride-based converters
efficientt converters
time 20.0 year
power 2.0 GW to 15.0 GW
GaN
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2019)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2018.8091; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/e65171fcca1f46fb903f8e771e9b16b3 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: GaN-based single-phase bridgeless PFC boost rectifier
Autorzy:: Tiago Kommers Jappe
Murilo Koerich Lohn
Samir Ahmad Mussa; Pokaż więcej
Temat:: power convertors
rectifiers
wide band gap semiconductors
gallium compounds
power factor correction
III-V semiconductors
circuit optimisation
multidomain optimisation concepts
design guideline
power converter topology
single-phase-based bridgeless PFC boost converter design
element losses
FPGA device
power 750.0 W
GaN
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2019)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2018.8083; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/8feff4184e5b43bb9222c12ed9c70f72 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: 900 V GaN-based sine-wave inverters for three-phase industrial applications
Autorzy:: Nilanjan Mukherjee
Johannes Fuerst
Fabian Diepold
Fernando Aguilar Vega; Pokaż więcej
Temat:: III-V semiconductors
switching convertors
PWM invertors
gallium compounds
wide band gap semiconductors
silicon compounds
three-phase industrial applications
potential wide bandgap device
inverter design
three-phase input
filter size
sine-wave output
traditional pulse-width modulator output
three-phase applications
sine-wave inverters
high-voltage devices
DC-link-based three-phase inverter-fed high power density system
high switching frequency device
power losses
voltage 900.0 V
voltage 700.0 V
frequency 128.0 kHz
SiC
GaN
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2019)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2018.8032; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/b600d33d89d44111a1c901064cb3a551 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Efficiency optimisation of an interleaved high step-up converter
Autorzy:: Bilal Ahmad
Jorma Kyyra
Wilmar Martinez; Pokaż więcej
Temat:: power convertors
gallium compounds
optimisation
wide band gap semiconductors
III-V semiconductors
GaN
voltage stress
MATLAB
interleaved high step-up converter
efficiency optimisation
cascaded boost converter
HSU converter
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2019)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2018.8040; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/1b54db87a3e74726a650bd0da9d227be Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: MMC with parallel-connected MOSFETs as an alternative to wide bandgap converters for LVDC distribution networks
Autorzy:: Yanni Zhong
Nina M. Roscoe
Derrick Holliday
Stephen J. Finney; Pokaż więcej
Temat:: distribution networks
power factor
AC-DC power convertors
gallium compounds
III-V semiconductors
wide band gap semiconductors
power MOSFET
MMC
MOSFET
wide bandgap converters
LVDC distribution networks
low-voltage direct-current networks
conductor utilisation
LVDC networks
DC–AC converters
unity power factor AC-DC converters
AC–DC/DC–AC converter design
conversion loss
power quality
insulated-gate bipolar transistor
two-level converter
metal–oxide–semiconductor field-effect transistor
modular multi-level converter
high-electron-mobility transistor
power loss
reliability
fault tolerance
converter cost
heatsink size
device stress
electromagnetic interference
SiC
GaN
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2017)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2017.0073; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/bf6fbf0433a3433aa1b810a1b24701c0 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Impact of nanowire geometry on the carrier transport in GaN/InGaN axial nanowire light-emitting diodes
Autorzy:: Shaofei Zhang
David Arto Laleyan
Qi Wang
Zetian Mi; Pokaż więcej
Temat:: nanowires
gallium compounds
indium compounds
III-V semiconductors
wide band gap semiconductors
light emitting diodes
epitaxial growth
GaN-InGaN
design
hole transport
axial nanowire light-emitting diodes
carrier transport
nanowire geometry
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2015)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2014.0349; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/258ff05dc8ec4a6a9edd59cc2b841109 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: The role of NH3 and hydrocarbon mixtures in GaN pseudo-halide CVD: a quantum chemical study
Autorzy:: Gadzhiev, Oleg B.
Sennikov, Peter G.
Petrov, Alexander I.
Kachel, Krzysztof
Golka, Sebastian
Gogova, Daniela
Siche, Dietmar; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Molecular Modeling: Computational Chemistry - Life Science - Advanced Materials - New Methods. November 2014 20(11):1-12

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: A 99%-efficiency GaN converter for 6.78 MHz magnetic resonant wireless power transfer system
Autorzy:: Yoshiyuki Akuzawa
Yuki Ito
Toshihiro Ezoe
Kiyohide Sakai; Pokaż więcej
Temat:: inductive power transmission
gallium compounds
III-V semiconductors
power convertors
driver circuits
high electron mobility transistors
Schottky diodes
rectifiers
gallium-nitride Class-E converter
GaN Class-E converter
magnetic resonant wireless power transfer system
negative-bias gate driver circuit
depletion mode GaN high-electron-mobility transistor
depletion mode GaN HEMT
gate–source capacitance
drain efficiency
magnetic resonant coils
full-bridge rectifier
Si Schottky barrier diodes
frequency 6.78 MHz
efficiency 98.8 percent
efficiency 97.7 percent
power 33 W
size 150 mm
size 40 mm
efficiency 82.8 percent
power 25 W
GaN
Si
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Źródło:: The Journal of Engineering (2014)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://digital-library.theiet.org/content/journals/10.1049/joe.2014.0245; https://doaj.org/toc/2051-3305
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/59972c8d938d4f74abf130424d341bb0 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""III/V"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język