Temat: "INDIUM arsenide epitaxy" - OpacWWW - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""INDIUM arsenide epitaxy"" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-9 z 9

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: InAs nanostructures grown by droplet epitaxy directly on InP(001) substrates.
Autorzy:: Fuster, David
Abderrafi, Kamal
Alén, Benito
González, Yolanda
Wewior, Lukasz
González, Luisa; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Jan2016, Vol. 434, p81-87. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Controlling the crystal phase and structural quality of epitaxial InAs nanowires by tuning V/III ratio in molecular beam epitaxy.
Autorzy:: Zhang, Zhi
Lu, Zhen-Yu
Chen, Ping-Ping
Lu, Wei
Zou, Jin; Pokaż więcej
Źródło:: Acta Materialia. Jun2015, Vol. 92, p25-32. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: InAs QDs in a metamorphic InGaAs matrix, grown by MOCVD.
Autorzy:: Mintairov, S.
Kalyuzhnyy, N.
Maximov, M.
Nadtochiy, A.
Nevedomskiy, V.
Zhukov, A.; Pokaż więcej
Temat:: QUANTUM dots
INDIUM arsenide
METAL organic chemical vapor deposition
DISLOCATIONS in metals
DISLOCATION interactions
INDIUM arsenide epitaxy
Źródło:: Semiconductors; May2017, Vol. 51 Issue 5, p672-678, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Kinetically driven selective growth of InAs quantum dots on GaAs.
Autorzy:: Arciprete, Fabrizio
Placidi, Ernesto
Magri, Rita
Del Gaudio, Davide
Patella, Fulvia; Pokaż więcej
Temat:: QUANTUM dots
INDIUM arsenide epitaxy
GALLIUM arsenide
EPITAXY
MATERIALS
Źródło:: Journal of Materials Research; Dec2013, Vol. 28 Issue 23, p3201-3209, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Conduction- and Valence-Band Energies in Bulk InAsSb and Type II InAsSb/InAs Strained-Layer Superlattices.
Autorzy:: Lin, Youxi
Wang, Ding
Donetsky, Dmitry
Shterengas, Leon
Kipshidze, Gela
Belenky, Gregory
Svensson, Stefan
Sarney, Wendy
Hier, Harry; Pokaż więcej
Temat:: INDIUM arsenide epitaxy
ENERGY bands
SOLID state electronics
SUPERLATTICES
VALENCE bands
Źródło:: Journal of Electronic Materials; May2013, Vol. 42 Issue 5, p918-926, 9p, 1 Chart, 9 Graphs

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Electrooptical Characterization of MWIR InAsSb Detectors.
Autorzy:: D'Souza, A.I.
Robinson, E.
Ionescu, A.C.
Okerlund, D.
Lyon, T.J.
Sharifi, H.
Roebuck, M.
Yap, D.
Rajavel, R.D.
Dhar, N.
Wijewarnasuriya, P.S.
Grein, C.; Pokaż więcej
Temat:: ALLOYS
INDIUM arsenide
INDIUM arsenide epitaxy
WAVELENGTHS
ABSORPTION
Źródło:: Journal of Electronic Materials; Oct2012, Vol. 41 Issue 10, p2671-2678, 8p, 2 Diagrams, 1 Chart, 12 Graphs

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Material and device characterization of Type-II InAs/GaSb superlattice infrared detectors.
Autorzy:: Delmas, M.
Debnath, M.C.
Liang, B.L.
Huffaker, D.L.; Pokaż więcej
Źródło:: Infrared Physics & Technology. Nov2018, Vol. 94, p286-290. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Correlation between adatom dynamics and electron accumulation at the epitaxial InAs(111)A surface.
Autorzy:: Kanisawa, Kiyoshi; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Sep2013, Vol. 378, p8-12. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Experimental determination of adatom diffusion lengths for growth of InAs nanowires
Autorzy:: Madsen, Morten Hannibal
Krogstrup, Peter
Johnson, Erik
Venkatesan, Sriram
Mühlbauer, Erika
Scheu, Christina
Sørensen, Claus B.
Nygård, Jesper; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Feb2013, Vol. 364, p16-22. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-9 z 9

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies