Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""INDIUM gallium nitride"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Full InGaN red light emitting diodes.
Autorzy :
Dussaigne, A. (AUTHOR)
Barbier, F. (AUTHOR)
Damilano, B. (AUTHOR)
Chenot, S. (AUTHOR)
Grenier, A. (AUTHOR)
Papon, A. M. (AUTHOR)
Samuel, B. (AUTHOR)
Ben Bakir, B. (AUTHOR)
Vaufrey, D. (AUTHOR)
Pillet, J. C. (AUTHOR)
Gasse, A. (AUTHOR)
Ledoux, O. (AUTHOR)
Rozhavskaya, M. (AUTHOR)
Sotta, D. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 10/7/2020, Vol. 128 Issue 13, p1-9. 9p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Modeling of In0.17Ga0.83N/InxGa1-xN/AlyGa1-yN light emitting diode structure on ScAlMgO4 (0001) substrate for high intensity red emission.
Autorzy :
Hussain, S.
Rahman, Md. M.
Prodhan, Md. T.
Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :
Моделювання структури світлодіодів In0.17Ga0.83N/InxGa1-xN/AlyGa1-yN на підкладці ScAlMgO4 (0001) для випромінювання червоного кольору високої інтенсивності
Źródło :
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2020, Vol. 23 Issue 4, p408-414. 7p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Contribution of the carbon-originated hole trap to slow decays of photoluminescence and photoconductivity in homoepitaxial n-type GaN layers.
Autorzy :
Kato, Masashi
Asada, Takato
Maeda, Takuto
Ito, Kenji
Tomita, Kazuyoshi
Narita, Tetsuo
Kachi, Tetsu
Pokaż więcej
Temat :
PHOTOCONDUCTIVITY
CONDUCTION electrons
PHOTOLUMINESCENCE
CONDUCTION bands
EPITAXIAL layers
INDIUM gallium nitride
GALLIUM nitride
Źródło :
Journal of Applied Physics; 3/21/2021, Vol. 129 Issue 11, p1-7, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Multiscale simulations of the electronic structure of III-nitride quantum wells with varied indium content: Connecting atomistic and continuum-based models.
Autorzy :
Chaudhuri, D.
O'Donovan, M.
Streckenbach, T.
Marquardt, O.
Farrell, P.
Patra, S. K.
Koprucki, T.
Schulz, S.
Pokaż więcej
Temat :
ELECTRONIC structure
QUANTUM wells
CARRIER density
INDIUM
INDIUM gallium nitride
NITRIDES
HIGH temperatures
HETEROSTRUCTURES
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2/21/2021, Vol. 129 Issue 7, p1-16, 16p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Intersubband resonant enhancement of second order-nonlinear susceptibility in asymmetric AlxGa1−xN/GaN double quantum wells.
Autorzy :
Saidi, Imen (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 10/7/2019, Vol. 126 Issue 13, pN.PAG-N.PAG. 13p. 1 Diagram, 1 Chart, 11 Graphs.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Influence of substrate misorientation on the optical properties of Mg-doped GaN.
Autorzy :
Liu, Hanxiao
Su, Po-Yi
Wu, Zhihao
Liu, Rong
Ponce, Fernando A.
Pokaż więcej
Temat :
OPTICAL properties
CHEMICAL vapor deposition
GALLIUM nitride films
THIN films
SURFACE roughness
SURFACE morphology
METALLIC thin films
INDIUM gallium nitride
Źródło :
Journal of Applied Physics; 5/21/2020, Vol. 127 Issue 19, p1-7, 7p, 2 Diagrams, 6 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies