Temat: "INSULATED gate bipolar transistors" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 61.

Tytuł:: Comparison of junction temperature variations of IGBT modules under DC and PWM power cycling test conditions.
Autorzy:: An, Tong (AUTHOR)
Tian, Yanzhong (AUTHOR)
Qin, Fei (AUTHOR)
Dai, Yanwei (AUTHOR)
Gong, Yanpeng (AUTHOR)
Chen, Pei (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Power Electronics. Sep2022, Vol. 22 Issue 9, p1561-1575. 15p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 62.

Tytuł:: Input‐voltage and output‐current equalization of series‐in parallel‐out three‐phase multi‐module voltage source converter‐based high voltage direct current shunt tap.
Źródło:: International Journal of Circuit Theory & Applications. Sep2022, Vol. 50 Issue 9, p3212-3230. 19p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 63.

Tytuł:: Study of the Solder Characteristics of IGBT Modules Based on Thermal–Mechanical Coupling Simulation.
Autorzy:: Chen, Jibing (AUTHOR)
Liu, Bowen (AUTHOR)
Hu, Maohui (AUTHOR)
Huang, Shisen (AUTHOR)
Yu, Shanji (AUTHOR)
Wu, Yiping (AUTHOR)
Yang, Junsheng (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials (1996-1944). May2023, Vol. 16 Issue 9, p3504. 14p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 64.

Tytuł:: Coupled distribute circuit-3D FEM model to simulate the transient electromagnetic performances of IGBTs.
Autorzy:: Ma, Yuhan (AUTHOR)
Zheng, Taiying (AUTHOR)
Yang, Shiyou (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of Applied Electromagnetics & Mechanics. 2019, Vol. 59 Issue 1, p39-46. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 65.

Tytuł:: A novel inductively coupled RLC damping scheme for eliminating switching oscillations of SiC MOSFET
Autorzy:: JiaWen Li
Xin Yang
Mengwei Xu
Xiaodi Wang
Ke Heng; Pokaż więcej
Temat:: electromagnetic compatibility
electromagnetic interference
insulated gate bipolar transistors
MOSFET
power convertors
power electronics
Electronics
TK7800-8360
Źródło:: IET Power Electronics, Vol 16, Iss 9, Pp 1486-1498 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/1755-4535; https://doaj.org/toc/1755-4543
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/6d388356872a4d5696ac4de95104e8fa Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 66.

Tytuł:: Effect of Solder Layer Void Damage on the Temperature of IGBT Modules.
Autorzy:: Xu, Pengpeng
Liu, Peisheng
Yan, Lei
Zhang, Zhao; Pokaż więcej
Temat:: INSULATED gate bipolar transistors
SEMICONDUCTOR devices
SOLDER pastes
SOLDER & soldering
POWER semiconductors
TEMPERATURE distribution
THERMAL stability
Źródło:: Micromachines; Jul2023, Vol. 14 Issue 7, p1344, 14p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 67.

Tytuł:: A Novel 4H–SiC/Si Heterojunction IGBT Achieving Low Turn–Off Loss.
Autorzy:: Wang, Erjun
Tian, Xiaoli
Lu, Jiang
Wang, Xinhua
Li, Chengzhan
Bai, Yun
Yang, Chengyue
Tang, Yidan
Liu, Xinyu; Pokaż więcej
Temat:: SILICON carbide
INSULATED gate bipolar transistors
HETEROJUNCTIONS
BUFFER layers
SEALING (Technology)
Źródło:: Electronics (2079-9292); Jun2023, Vol. 12 Issue 11, p2501, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 68.

Tytuł:: Design and Measurement of a Frequency Converter with SPWM Modulation of Output Voltage for a Two-Phase Induction Motor.
Autorzy:: Kanuch, Jan
Girovsky, Peter
Zilkova, Jaroslava
Pastor, Marek; Pokaż więcej
Temat:: FREQUENCY changers
INSULATED gate bipolar transistors
INDUCTION motors
PULSE width modulation transformers
DIGITAL signal processing
PULSE width modulation
VOLTAGE
Źródło:: Electronics & Electrical Engineering; 2023, Vol. 29 Issue 3, p11-18, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 69.

Tytuł:: Performance Degradation Modeling and Its Prediction Algorithm of an IGBT Gate Oxide Layer Based on a CNN-LSTM Network.
Autorzy:: Wang, Xin
Zhou, Zhenwei
He, Shilie
Liu, Junbin
Cui, Wei; Pokaż więcej
Temat:: CONVOLUTIONAL neural networks
INSULATED gate bipolar transistors
KRIGING
PREDICTION models
ELECTRONIC equipment
TIME-domain analysis
Źródło:: Micromachines; May2023, Vol. 14 Issue 5, p959, 12p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 70.

Tytuł:: Insulated Gate Bipolar Transistor Reliability Study Based on Electro-Thermal Coupling Simulation.
Autorzy:: Yang, Xiaoqing
Zhai, Xiaoyu
Long, Shanshan
Li, Meng
Dong, Hexin
He, Yi; Pokaż więcej
Temat:: INSULATED gate bipolar transistors
TRANSISTORS
FINITE element method
SERVICE life
STRAINS & stresses (Mechanics)
THERMAL stresses
Źródło:: Electronics (2079-9292); May2023, Vol. 12 Issue 9, p2116, 16p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 71.

Tytuł:: A screening method of retired insulated gate bipolar transistor for reuse based on multiple indicators and integrated model.
Autorzy:: Liu, He (AUTHOR)
Li, Xinyu (AUTHOR)
Liu, Zhifeng (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronics Reliability. Apr2024, Vol. 155, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 72.

Tytuł:: Degradation state estimation for insulated gate bipolar transistor based on multi-scale fusion learning.
Autorzy:: Zhou, Xu (AUTHOR)
Chu, Xiaoyan (AUTHOR)
Bu, Qixuan (AUTHOR)
Zou, Yiqi (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Control Engineering Practice. Apr2024, Vol. 145, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 73.

Tytuł:: An improved POD-Galerkin method for rapid prediction of three-dimensional temperature field for an IGBT module.
Autorzy:: Feng, Xiang-You (AUTHOR)
Bai, Fan (AUTHOR)
Ding, Hao (AUTHOR)
Tao, Wen-Quan (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Communications in Heat & Mass Transfer. Mar2024, Vol. 152, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 74.

Tytuł:: Modified neural network algorithm‐based control scheme of grid connected solar photovoltaic systems.
Autorzy:: Kaushik, Hemant (AUTHOR)
Kalla, Ujjwal Kumar (AUTHOR)
Singh, Bhim (AUTHOR); Pokaż więcej
Temat:: *Photovoltaic power systems
*Power resources
*Solar energy
Insulated gate bipolar transistors
Reactive power
Źródło:: International Transactions on Electrical Energy Systems. Oct2021, Vol. 31 Issue 10, p1-13. 13p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 75.

Tytuł:: Condition monitoring of IGBT modules using online TSEPs and data‐driven approach.
Autorzy:: Kurukuru, Varaha Satya Bharath (AUTHOR)
Haque, Ahteshamul (AUTHOR)
Tripathi, Arun Kumar (AUTHOR)
Khan, Mohammed Ali (AUTHOR); Pokaż więcej
Temat:: *Electric power failures
Insulated gate bipolar transistors
Vector data
Strains & stresses (Mechanics)
Failure mode & effects analysis
Źródło:: International Transactions on Electrical Energy Systems. Aug2021, Vol. 31 Issue 8, p1-24. 24p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 76.

Tytuł:: COBOTS FOR INDUSTRY.
Autorzy:: Chakraborty, Pradeep; Pokaż więcej
Źródło:: Dataquest. Jun2020, Vol. 38 Issue 6, p60-62. 3p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 77.

Tytuł:: Electrically assisted stereolithography 3D printing of graded permittivity composites for in-situ encapsulation of insulated gate bipolar transistors (IGBTs)
Autorzy:: Lipeng Zhong
Wei Liu
Youqing Sun
Feng Wang
She Chen
Qiuqin Sun
Yufeng Liu
Chao Yuan
Xiaopeng Li
Guanghai Fei; Pokaż więcej
Temat:: Stereolithography 3D printing
Graded permittivity materials
Microelectronics encapsulation
Insulated gate bipolar transistors (IGBTs)
Materials of engineering and construction. Mechanics of materials
TA401-492
Źródło:: Materials & Design, Vol 233, Iss , Pp 112220- (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0264127523006354; https://doaj.org/toc/0264-1275
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/612300dd81e6449aa34b2e11bb8205a3 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 78.

Tytuł:: Auxiliary resonant commutated pole soft-switching inverter with simple topology.
Autorzy:: Chu, Enhui (AUTHOR)
Zhang, Tianyu (AUTHOR)
Wang, Zhiyong (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Power Electronics. Feb2022, Vol. 22 Issue 2, p198-209. 12p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 79.

Tytuł:: A High-Precision Adaptive Thermal Network Model for Monitoring of Temperature Variations in Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules.
Autorzy:: An, Ning
Du, Mingxing
Hu, Zhen
Wei, Kexin; Pokaż więcej
Źródło:: Energies (19961073). Mar2018, Vol. 11 Issue 3, p595. 16p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 80.

Tytuł:: Loss Model and Efficiency Analysis of Tram Auxiliary Converter Based on a SiC Device.
Autorzy:: Hao Liu
Xianjin Huang
Fei Lin
Zhongping Yang; Pokaż więcej
Źródło:: Energies (19961073). Dec2017, Vol. 10 Issue 12, p2018. 20p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""INSULATED gate bipolar transistors"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji