Temat: "INSULATOR-TRANSITION" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: A-Site Order-Disorder Evolution in Double Manganites RBaMn2O6 (R = Pr, Nd)
Autorzy:: Mostovshchikova, E. V.Aff1, IDS0031918X23602421_cor1
Sterkhov, E. V.
Pryanichnikov, S. V.
Vedmid’, L. B.
Titova, S. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of Metals and Metallography. 124(14):1703-1715

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Some Remarks on Possible Superconductivity of Composition Pb9CuP6O25
Autorzy:: Abramian, P.
Kuzanyan, A.
Nikoghosyan, V.
Teknowijoyo, S.
Gulian, A.Aff3, IDS1060992X23070020_cor5; Pokaż więcej
Źródło:: Optical Memory and Neural Networks: (Information Optics). 32(Suppl 3):S424-S427

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Metal-organic decomposition growth of thin film metastable perovskite nickelates with kinetically improved quantum transitions
Autorzy:: Li, Haiyan
Wang, Yuzhao
Meng, Fanqi
Mao, Wei
Cao, Xingzhong
Bian, Yi
Zhang, Hao
Jiang, Yong
Chen, Nuofu
Chen, JikunAff1, IDs1261302327039_cor10; Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials. 30(12):2441-2450

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: ANALYSIS OF PHONONS BEHAVIOR IN QUASI-ONE-DIMENSIONAL CRYSTALS OF TTT(TCNQ)2 NEAR THE PEIERLS STRUCTURAL TRANSITION IN A 3D APPROXIMATION
Autorzy:: ANDRONIC, Silvia
SANDULEAC, Ionel; Pokaż więcej
Temat:: metal-insulator transition
organic materials
quasi-one-dimensional organic crystals
renormalized phonon spectrum
peierls critical temperature
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Electronic computers. Computer science
QA75.5-76.95
Źródło:: Journal of Engineering Science (Chişinău), Vol XXX, Iss 3, Pp 7-15 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://press.utm.md/index.php/jes/article/view/2023-30-3-01/01-pdf; https://doaj.org/toc/2587-3474; https://doaj.org/toc/2587-3482
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/52e597c0a2ba4d04891cc19f3ddc98a6 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Strong Substrate Influence on Atomic Structure and Properties of Epitaxial VO2 Thin Films
Autorzy:: Atul Atul
Majid Ahmadi
Panagiotis Koutsogiannis
Heng Zhang
Bart J. Kooi; Pokaż więcej
Temat:: metal–insulator transition
pulsed laser deposition
scanning transmission electron microscopy
VO2 epitaxial thin films
Physics
QC1-999
Technology
Źródło:: Advanced Materials Interfaces, Vol 11, Iss 3, Pp n/a-n/a (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/2196-7350
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/941ef30bc448487e8c8c9e88b893600b Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Native drift and Mott nanochannel in layered V2O5 film for synaptic and nociceptive simulation
Autorzy:: Xue, WuhongAff1, IDs4084302221658_cor1
Gao, Caihong
Zhang, Zheng
Han, Tingting
Hou, Nan
Yin, Wenhui
Shi, Lei
Wang, Xiaoling
Liu, Gang
Xu, XiaohongAff1, IDs4084302221658_cor10; Pokaż więcej
Alternatywny tytuł:: 层状V2O5薄膜中本征漂移和Mott纳米通道用于突触和痛觉感受器模拟
Źródło:: Science China Materials. 66(2):764-771

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Strain Engineering for Enhancing Carrier Mobility in MoTe2 Field‐Effect Transistors
Autorzy:: Abde Mayeen Shafi
Md Gius Uddin
Xiaoqi Cui
Fida Ali
Faisal Ahmed
Mohamed Radwan
Susobhan Das
Naveed Mehmood
Zhipei Sun
Harri Lipsanen; Pokaż więcej
Temat:: MoTe2
Al2O3
tensile strain
carrier mobility
metal–insulator transition
Science
Źródło:: Advanced Science, Vol 10, Iss 29, Pp n/a-n/a (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/2198-3844
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/5a810684d16b4f04ad45bca00197bbe3 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Spatially Distributed Ramp Reversal Memory in VO2
Autorzy:: Sayan Basak
Yuxin Sun
Melissa Alzate Banguero
Pavel Salev
Ivan K. Schuller
Lionel Aigouy
Erica W. Carlson
Alexandre Zimmers; Pokaż więcej
Temat:: defect motion
memory
memristors
metal‐insulator transition
mott transition
phase separation
Electric apparatus and materials. Electric circuits. Electric networks
TK452-454.4
Physics
QC1-999
Źródło:: Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 10, Pp n/a-n/a (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/2199-160X
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/68e445bebe01491bb0abf9383f4878b6 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Thin-film samarium nickelate as a potential material for methane sensing
Autorzy:: Tang, Qijuan
Wang, Xingyuan
Zhang, Hui
Liu, ZhiAff1, Aff2, Aff3
Guan, XiaofeiAff1, IDs43578022007553_cor5; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Research. 37(21):3816-3830

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Insulator-to-metal transition in RCoO3 (R = Pr, Nd)
Autorzy:: Sujoy Saha
Sadhan Chanda
Alo Dutta
T. P. Sinha; Pokaż więcej
Temat:: Sol–gel technique
XRD
metal-insulator transition
transport property
Electricity
QC501-721
Źródło:: Journal of Advanced Dielectrics, Vol 13, Iss 03 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://doaj.org/toc/2010-135X; https://doaj.org/toc/2010-1368
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/84dda8c8c5d847ad828f4bd21b0cc079 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Effect of La1−xSrxMnO3 (x = 0.2, 0.3, 0.5) buffer layer on the superconducting properties of GdBa2Cu3O7−δ
Autorzy:: Song, Byeong-Heon
Oh, Jun-Yung
Park, Han-Seok
Kang, ByeongwonAff1, IDs4004202200582z_cor4; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of the Korean Physical Society. 81(8):770-778

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Electro-thermal simulations of beyond-CMOS vanadium dioxide devices and oscillators
Autorzy:: Carapezzi, StefaniaAff1, IDs43579022001963_cor1
Boschetto, Gabriele
Karg, Siegfried
Todri-Sanial, AidaAff1, IDs43579022001963_cor4; Pokaż więcej
Źródło:: MRS Communications. 12(4):427-433

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Tunable spin-wave delay line based on ferrite and vanadium dioxide
Autorzy:: Nikitin, Aleksei Александрович
Komlev, Andrey Евгеньевич
Nikitin, Andrey A.
Ustinov, Aleksej Borisovich; Pokaż więcej
Temat:: spin waves
ferrites
metal–insulator transition
vanadium dioxide
microwave devices
Physics
QC1-999
Źródło:: Известия высших учебных заведений: Прикладная нелинейная динамика, Vol 30, Iss 5, Pp 605-616 (2022)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://andjournal.sgu.ru/sites/andjournal.sgu.ru/files/text-pdf/2022/09/and_2022_5_nikitin-et-al_605-616.pdf; https://doaj.org/toc/0869-6632; https://doaj.org/toc/2542-1905
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/115ed2cf425849bda21f61210b53ba01 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""INSULATOR-TRANSITION"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język