Temat: "INTERMODULATION distortion" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: A Dual-Mode CMOS Power Amplifier with an External Power Amplifier Driver Using 40 nm CMOS for Narrowband Internet-of-Things Applications.
Autorzy:: Ahn, Hyunjin (AUTHOR)
Oh, Kyutaek (AUTHOR)
Choi, Se-Eun (AUTHOR)
Son, Dong-Hee (AUTHOR)
Nam, Ilku (AUTHOR)
Lim, Kyoohyun (AUTHOR)
Lee, Ockgoo (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991). Feb2024, Vol. 14 Issue 3, p262. 13p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Microwave photonics analog link based on two integrated D-DPMZM linearized signals and with eliminated odd harmonics and all IMD's.
Autorzy:: Shaqiri, Shemsi (AUTHOR)
Haxha, Shyqyri (AUTHOR)
Flint, Ian (AUTHOR)
Ademgil, Huseyin (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Optical & Quantum Electronics. Jul2022, Vol. 54 Issue 7, p1-12. 12p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Analysis of distortion reduction in tunnel injection transistor laser using feedback Schottky diode.
Autorzy:: Vinodhini, S. V. (AUTHOR)
Piramasubramanian, S. (AUTHOR)
Madhan, M. Ganesh (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Optical & Quantum Electronics. Jun2022, Vol. 54 Issue 6, p1-20. 20p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: RF/Analog Performance Optimization and Assessing Linearity/Distortion FoMs of HDDP-DG-NCFET for Terahertz Applications
Autorzy:: MalvikaAff1, IDs13369023086712_cor1
Choudhuri, B.
Kavicharan, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Arabian Journal for Science and Engineering. :1-17

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Analysis of passive intermodulation in cascaded connectors with transmit‐receive systems.
Autorzy:: Jin, Qiuyan (AUTHOR)
Feng, Quanyuan (AUTHOR)
Wang, Ziren (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Wiley-Blackwell). Jun2023, Vol. 17 Issue 7, p518-525. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Measurement‐based analysis of GaAs HEMT technologies: Multilayer D‐H pseudomorphic HEMT versus conventional S‐H HEMT.
Autorzy:: Alim, Mohammad A. (AUTHOR)
Ali, Mayahsa M. (AUTHOR)
Crupi, Giovanni (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of Numerical Modelling. Aug/Sep2021, Vol. 34 Issue 5, p1-14. 14p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Study on impact of ferroelectric layer thickness on RF/analog and linearity parameters in ferroelectric‐FinFET.
Autorzy:: Saha, Rajesh (AUTHOR)
Bhowmick, Brinda (AUTHOR)
Baishya, Srimanta (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. Aug2021, Vol. 31 Issue 8, p1-13. 13p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: A comparative analysis between different optical modulators of analog and digital radio over fiber (RoF) link for the next-generation networks
Autorzy:: Tamrakar, BalramAff1, Aff2
Singh, KrishnaAff2, Aff3
Kumar, ParvinAff1, IDs1259602200994x_cor3; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Optics. 52(4):1628-1638

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Linearity performance and intermodulation distortion analysis of D-MOS vertical TFET.
Autorzy:: Wangkheirakpam, Vandana Devi (AUTHOR)
Bhowmick, Brinda (AUTHOR)
Pukhrambam, Puspa Devi (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. May2021, Vol. 127 Issue 5, p1-9. 9p. 1 Color Photograph, 1 Chart, 8 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Nonlinear modeling and digital predistortion for HF transmitters with harmonic cancelation.
Autorzy:: Chen, Long (AUTHOR)
Chen, Wenhua (AUTHOR)
Chen, Xiaofan (AUTHOR)
Ghannouchi, Fadhel M. (AUTHOR)
Feng, Zhenghe (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of Numerical Modelling. Jul2023, Vol. 36 Issue 4, p1-17. 17p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Experimental insight into the third‐order intercepts and nonlinear distortion of GaN HEMTs.
Autorzy:: Alim, Mohammad A. (AUTHOR)
Ali, Mayahsa M. (AUTHOR)
Gaquiere, Christophe (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. Feb2021, Vol. 31 Issue 2, p1-10. 10p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: The Optimal Operating Point for Linearizing an Integrated Optical Lithium Niobate Directional Coupler Modulator †.
Autorzy:: Agruzov, Peter
Parfenov, Mikhail
Ilichev, Igor
Varlamov, Andrei
Tronev, Aleksandr
Shamrai, Aleksandr; Pokaż więcej
Temat:: DIRECTIONAL couplers
INTERMODULATION distortion
AMPLITUDE modulation
BUFFER layers
MICROWAVE photonics
LITHIUM niobate
Źródło:: Photonics; Jan2024, Vol. 11 Issue 1, p48, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Investigation of Core–Shell Junctionless Gate-Stack DG-FET in Low-Power Applications Using Charge-Based Modeling.
Autorzy:: Chattopadhyay, Ankush
Bose, Chayanika; Pokaż więcej
Temat:: INTERMODULATION distortion
THRESHOLD voltage
SURFACE potential
ELECTRIC capacity
DOPING agents (Chemistry)
VOLTAGE
Źródło:: Journal of Electronic Materials; Jan2024, Vol. 53 Issue 1, p157-170, 14p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Behavioral Modeling of Direct-Conversion Receivers for Nonlinear Distortion Mitigation
Autorzy:: Chongchong Chen
Hongmin Lu
Fulin Wu
Xuan Liu
Yangzhen Qin; Pokaż więcej
Temat:: Nonlinear distortion
behavioral modeling
direct-conversion receiver (DCR)
in-phase/quadrature (I/Q) imbalance
intermodulation distortion (IMD)
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Access, Vol 12, Pp 15390-15398 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/10401170/; https://doaj.org/toc/2169-3536
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/0b46a2cbc92b4c329c2dcf056f7fa9ad Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Distortion Product Otoacoustic Emissions in Mice Above and Below the Eliciting Primaries
Autorzy:: Cheatham, Mary AnnAff1, IDs10162023009034_cor1; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of the Association for Research in Otolaryngology. 24(4):413-428

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Passive intermodulation of printed dipole antennas: Modeling, evaluation, and experiment.
Autorzy:: Guo, Hao (AUTHOR)
Wu, Dongwei (AUTHOR)
Xie, Yongjun (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. Aug2020, Vol. 30 Issue 8, p1-12. 12p. 1 Color Photograph, 3 Diagrams, 4 Charts, 11 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Impact of lateral straggle on linearity performance in gate-modulated (GM) TFET.
Autorzy:: Saha, Rajesh (AUTHOR)
Bhowmick, Brinda (AUTHOR)
Baishya, Srimanta (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Mar2020, Vol. 126 Issue 3, p1-5. 5p. 1 Color Photograph, 5 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Negative resistance amplifier circuit using GaAsFET modelled single MESFET.
Autorzy:: Ojewande, Olasunkanmi
Ndujiuba, Charles
Adelakun, Adebiyi A.
Popoola, Segun I.
Atayero, Aderemi A.; Pokaż więcej
Źródło:: Telkomnika. Feb2020, Vol. 18 Issue 1, p179-190. 12p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: RF, linearity and intermodulation distortion analysis with small-signal parameters extraction of tunable bandgap arsenide/antimonide tunneling interfaced JLTFET.
Autorzy:: Sharma, Samriti (AUTHOR)
Chaujar, Rishu (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Microsystem Technologies. Dec2022, Vol. 28 Issue 12, p2659-2667. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Improved analog and AC performance for high frequency linearity based applications using gate-stack dual metal (DM) nanowire (NW) FET (4H-SiC).
Autorzy:: Neeraj, Neeraj
Sharma, Shobha
Goel, Anubha
Rewari, Sonam
Gupta, R. S.; Pokaż więcej
Temat:: SILICON nanowires
FIELD-effect transistors
NANOWIRES
SILICON carbide
DIELECTRIC materials
INDIUM gallium zinc oxide
CARRIER density
INTERMODULATION distortion
Źródło:: Microsystem Technologies; Oct2023, Vol. 29 Issue 10, p1403-1416, 14p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""INTERMODULATION distortion"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji