- Tytuł :
- Stability, electronic and defect levels induced by substitution of Al and P pair in 4H–SiC
- Autorzy :
- Źródło :
- In Journal of Physics and Chemistry of Solids July 2020 142
-
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.