Autor: "Il'in, I. V." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Correction of the Technological Inheritance in Belt Grinding of Gas-Turbine Engine Blades
Autorzy:: Volkov, D. I.Aff1, IDS1068798X23100337_cor1
Koryazhkin, A. A.Aff2, IDS1068798X23100337_cor2
Kurochkin, A. V.Aff1, IDS1068798X23100337_cor3
Sutyagin, A. N.Aff1, IDS1068798X23100337_cor4
Il’in, I. V.Aff3, IDS1068798X23100337_cor5; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Engineering Research. 43(10):1249-1253

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Broadband EPR Spectroscopy of Tb Ions in YAlO3 Single Crystals
Autorzy:: Asatryan, G. R.Aff1, IDS1063783421100048_cor1
Shakurov, G. S.
Il’in, I. V.
Petrosyan, A. G.
Ovanesyan, K. L.
Derdzyan, M. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. 63(12):1879-1883

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: A Scanning Optical Quantum Magnetometer Based on the Hole Burning Phenomenon
Autorzy:: Anisimov, A. N.
Babunts, R. A.
Breev, I. D.
Bundakova, A. P.
Il’in, I. V.
Muzafarova, M. V.
Baranov, P. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 45(5):494-498

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Electronic structure and spatial distribution of the spin density of shallow nitrogen donors in the SiC lattice
Autorzy:: Muzafarova, M. V.
Il’in, I. V.
Anisimov, A. N.
Mokhov, E. N.
Soltamov, V. A.
Baranov, P. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. December 2016 58(12):2406-2422

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: An optical quantum magnetometer with submicron resolution based on the level anticrossing phenomenon
Autorzy:: Anisimov, A. N.
Tolmachev, D. O.
Babunts, R. A.
Muzafarova, M. V.
Bundakova, A. P.
Il’in, I. V.
Soltamov, V. A.
Baranov, P. G.
Mokhov, E. N.
Astakhov, G. V.
Dyakonov, V.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. June 2016 42(6):618-621

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: An optical quantum thermometer with submicrometer resolution based on the level anticrossing phenomenon
Autorzy:: Anisimov, A. N.
Babunts, R. A.
Muzafarova, M. V.
Bundakova, A. P.
Il’in, I. V.
Soltamov, V. A.
Romanov, N. G.
Baranov, P. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. April 2017 43(4):355-357

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Point defects in silicon carbide as a promising basis for spectroscopy of single defects with controllable quantum states at room temperature
Autorzy:: Soltamov, V. A.
Tolmachev, D. O.
Il’in, I. V.
Astakhov, G. V.
Dyakonov, V. V.
Soltamova, A. A.
Baranov, P. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. May 2015 57(5):891-899

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Group III Acceptors with Shallow and Deep Levels in Silicon Carbide: ESR and ENDOR Studies.
Autorzy:: Il’in, I. V.
Uspenskaya, Yu. A.
Kramushchenko, D. D.
Muzafarova, M. V.
Soltamov, V. A.
Mokhov, E. N.
Baranov, P. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. Apr2018, Vol. 60 Issue 4, p644-662. 19p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Electron paramagnetic resonance detection of the giant concentration of nitrogen vacancy defects in sintered detonation nanodiamonds
Autorzy:: Soltamova, A. A.
Il’in, I. V.
Shakhov, F. M.
Kidalov, S. V.
Vul’, A. Ya.
Yavkin, B. V.
Mamin, G. V.
Orlinskii, S. B.
Baranov, P. G.; Pokaż więcej
Źródło:: JETP Letters: JETP Letters. July 2010 92(2):102-106

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Electron spin resonance detection and identification of nitrogen centers in nanodiamonds
Autorzy:: Baranov, P. G.
Il’in, I. V.
Soltamova, A. A.
Vul’, A. Ya.
Kidalov, S. V.
Shakhov, F. M.
Mamin, G. V.
Orlinskii, S. B.
Salakhov, M. Kh.; Pokaż więcej
Źródło:: JETP Letters: JETP Letters. June 2009 89(8):409-413

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Specific features of transmutational doping of Si-enriched silicon crystals with phosphorus: Studies by the method of electron spin resonance
Autorzy:: Baranov, P. G.
Ber, B. Ya.
Godisov, O. N.
Il’in, I. V.
Ionov, A. N.
Kaliteevskiĭ, A. K.
Kaliteevskiĭ, M. A.
Lazebnik, I. M.
Safronov, A. Yu.
Pohl, H. -J.
Riemann, H.
Abrosimov, N. V.
Kop’ev, P. S.
Bulanov, A. D.
Gusev, A. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. August 2006 40(8):901-910

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Neutron transmutation doping of silicon Si monoisotope with phosphorus
Autorzy:: Ionov, A. N.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Baranov, P. G.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Ber, B. Ya.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Bulanov, A. D.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Godisov, O. N.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Gusev, A. V.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Davydov, V. Yu.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Il’in, I. V.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Kaliteevskiĭ, A. K.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Kaliteevskiĭ, M. A.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Safronov, A. Yu.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Lazebnik, I. M.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Pohl, H. -J.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Riemann, H.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Abrosimov, N. V.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6
Kop’ev, P. S.Aff1, Aff2, Aff3, Aff4, Aff5, Aff6; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 32(6):550-553

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Lithium and the Li isotope ratio in the atmospheres of some sharp-lined roAp stars
Autorzy:: Shavrina, A. V.
Polosukhina, N. S.
Khan, S.
Pavlenko, Ya. V.
Kudryavtsev, D. O.
Khalack, V. R.
Mikhaĭlitskaya, N. G.
Lyubchik, Yu. P.
Yushchenko, A. V.
Hatzes, A.
Mkrtichian, D. E.
Il’in, I. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Astronomy Reports. June 2006 50(6):500-511

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Probing of the shallow donor and acceptor wave functions in silicon carbide and silicon through an EPR study of crystals with a modified isotopic composition
Autorzy:: Baranov, P. G.
Ber, B. Ya.
Godisov, O. N.
Il’in, I. V.
Ionov, A. N.
Mokhov, E. N.
Muzafarova, M. V.
Kaliteevskii, A. K.
Kaliteevskii, M. A.
Kop’ev, P. S.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. December 2005 47(12):2219-2232

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Electron paramagnetic resonance in neutron-transmutation-doped semiconductors with a changed isotopic composition
Autorzy:: Baranov, P. G.
Ionov, A. N.
Il’in, I. V.
Kop’ev, P. S.
Mokhov, E. N.
Khramtsov, V. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. June 2003 45(6):1030-1041

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Modeling of emission spectra of the flaring red dwarf EV Lac: Active regions, flares, and microflares
Autorzy:: Alekseev, I. Yu.
Baranovskii, É. A.
Gershberg, R. E.
Il’in, I. V.
Pettersen, B. P.
Shakhovskoi, D. N.
Jablonsky, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Astronomy Reports. April 2003 47(4):312-325

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Properties of erbium luminescence in bulk crystals of silicon carbide
Autorzy:: Babunts, R. A.
Vetrov, V. A.
Il’in, I. V.
Mokhov, E. N.
Romanov, N. G.
Khramtsov, V. A.
Baranov, P. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. May 2000 42(5):829-835

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Electron paramagnetic resonance of defects with metastable properties in crystalline GaN
Autorzy:: Baranov, P. G.
Il’in, I. V.
Mokhov, E. N.
Khramtsov, V. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. October 1998 40(10):1648-1652

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Electron paramagnetic resonance of deep boron acceptors in 4H-SiC and 3C-SiC crystals
Autorzy:: Baranov, P. G.
Il’in, I. V.
Mokhov, E. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. January 1998 40(1):31-34

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: EPR identification of the triplet ground state and photoinduced population inversion for a Si-C divacancy in silicon carbide
Autorzy:: Baranov, P. G.
Il’in, I. V.
Mokhov, E. N.
Muzafarova, M. V.
Orlinskii, S. B.
Schmidt, J.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters. October 2005 82(7):441-443

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Il'in, I. V."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język