Autor: "Ishchenko, D. V." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Preparation of an Atomically Clean and Structurally Ordered Bi2Se3 (0001) Surface without Molecular Beams and Vacuum Cleaving
Autorzy:: Tarasov, A. S.Aff1, IDS1990793122030241_cor1
Golyashov, V. A.Aff1, Aff2
Akhundov, I. O.
Ishchenko, D. V.
Kozhukhov, A. S.
Kokh, K. A.Aff3, Aff4
Tereshchenko, O. E.Aff1, Aff2; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Journal of Physical Chemistry B: Focus on Physics. 16(3):479-482

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Topology of PbSnTe:In Layers Versus Indium Concentration
Autorzy:: Ishchenko, D. V.Aff1, IDS1063784221060086_cor1
Akimov, A. N.
Akhundov, I. O.
Golyashov, V. A.Aff1, Aff2
Klimov, A. E.Aff1, Aff3
Loginov, A. B.
Loginov, B. A.
Pashchin, N. S.
Tarasov, A. S.
Fedosenko, E. V.
Sherstyakova, V. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics. 66(7):878-882

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Features of MIS Structures Based on Insulating PbSnTe:In Films with the Composition in the Vicinity of the Band Inversion Related to Their Ferroelectric Properties
Autorzy:: Klimov, A. E.Aff1, Aff2
Akimov, A. N.
Akhundov, I. O.
Golyashov, V. A.Aff1, Aff3
Gorshkov, D. V.
Ishchenko, D. V.
Matyushenko, E. V.
Neizvestny, I. G.Aff1, Aff2
Sidorov, G. Yu.
Suprun, S. P.
Tarasov, A. S.
Tereshchenko, O. E.Aff1, Aff3
Epov, V.S.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 54(10):1325-1331

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Field Effect and Spin-Valve Effect in the PbSnTe Topological Crystalline Insulator
Autorzy:: Tarasov, A. S.
Golyashov, V. A.
Ishchenko, D. V.
Akhundov, I. O.
Klimov, A. E.Aff1, Aff2
Epov, V. S.
Kaveev, A. K.
Suprun, S. P.
Sherstyakova, V. N.
Tereshchenko, O. E.; Pokaż więcej
Źródło:: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 56(5):553-557

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Sign-Alternating Photoconductivity in PbSnTe:In Films in the Space-Charge-Limited Current Regime
Autorzy:: Akimov, A. N.
Akhundov, I. O.
Ishchenko, D. V.
Klimov, A. E.Aff1, Aff2
Neizvestny, I. G.Aff1, Aff2
Paschin, N. S.
Suprun, S. P.
Tarasov, A. S.
Tereshchenko, O. E.Aff1, Aff3
Fedosenko, E. V.
Sherstyakova, V. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 54(8):951-955

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Modification of the Surface Properties of PbSnTe〈In〉 Epitaxial Layers with Composition near Band Inversion
Autorzy:: Tarasov, A. S.
Ishchenko, D. V.Aff1, IDS1063784219110264_cor2
Akimov, A. N.
Akhundov, I. O.
Golyashov, V. A.
Klimov, A. E.
Pashchin, N. S.
Suprun, S. P.
Fedosenko, E. V.
Sherstyakova, V. N.
Tereshchenko, O. E.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics. 64(11):1704-1708

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion
Autorzy:: Klimov, A. E.Aff1, Aff2
Akimov, A. N.
Akhundov, I. O.
Golyashov, V. A.Aff1, Aff3
Gorshkov, D. V.
Ishchenko, D. V.
Sidorov, G. Yu.
Suprun, S. P.
Tarasov, A. S.
Epov, V. S.
Tereshchenko, O. E.Aff1, Aff3; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 53(9):1182-1186

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Origin of Degradation of the CaF2/BaF2 Buffer Layers on Si(111)
Autorzy:: Neizvestny, I. G.
Ishchenko, D. V.
Akhundov, I. O.
Suprun, S. P.
Tereshchenko, O. E.; Pokaż więcej
Źródło:: Doklady Physics. 65(1):15-17

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Radiative Recombination, Carrier Capture at Traps, and Photocurrent Relaxation in PbSnTe:In with a Composition Close to Band Inversion
Autorzy:: Ishchenko, D. V.
Neizvestny, I. G.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 52(7):836-839

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Features of the Current Flow in Injection Structures Based on PbSnTe:In Films
Autorzy:: Ishchenko, D. V.
Neizvestnyi, I. G.
Pashchin, N. S.
Sherstyakova, V. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Microelectronics. 47(4):221-225

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: A technique for the local doping and correction of the conductivity of PbSnTe epitaxial layers via indium diffusion from superficial nanometer-thick films
Autorzy:: Ishchenko, D. V.
Kuchumov, B. M.; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Microelectronics. July 2017 46(4):277-281

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: PbSnTe:In compound: Electron capture levels, galvanomagnetic properties, and THz sensitivity
Autorzy:: Ishchenko, D. V.
Klimov, A. E.
Shumsky, V. N.
Epov, V. S.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. December 2016 50(12):1635-1640

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Current-coltage characteristics of PbSnTe:In films in a magnetic field with electron injection from the contacts
Autorzy:: Ishchenko, D. V.
Epov, V. S.; Pokaż więcej
Źródło:: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. September 2016 52(5):438-441

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Preparation of an Atomically Clean and Structurally Ordered Bi2Se3 (0001) Surface without Molecular Beams and Vacuum Cleaving.
Autorzy:: Tarasov, A. S.
Golyashov, V. A.
Akhundov, I. O.
Ishchenko, D. V.
Kozhukhov, A. S.
Kokh, K. A.
Tereshchenko, O. E.; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Journal of Physical Chemistry B: Focus on Physics; Jun2022, Vol. 16 Issue 3, p479-482, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Terahertz detectors based on Pb1−x Sn x Te:In films
Autorzy:: Akimov, A. N.
Ishchenko, D. V.
Klimov, A. E.
Neizvestny, I. G.
Pashchin, N. S.
Sherstyakova, V. N.
Shumsky, V. N.
Epov, V. S.; Pokaż więcej
Źródło:: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. September 2013 49(5):492-497

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Industrial prospects of Pb1 − x Sn x Te:In with x > 0.3 solid solutions for photodetectors with extended sensitivity spectral range
Autorzy:: Akimov, A. N.
Ishchenko, D. V.
Klimov, A. E.
Neizvestny, I. G.
Pashchin, N. S.
Sherstyakova, V. N.
Shumsky, V. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Microelectronics. March 2013 42(2):59-62

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Effect of the material of injecting contacts on the CVCs of Pb1 − x Sn x Te:In films
Autorzy:: Akimov, A. N.
Ishchenko, D. V.
Klimov, A. E.
Neizvestny, I. G.
Pashchin, N. S.
Sherstyakova, V. N.
Shumsky, V. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Microelectronics. March 2013 42(2):63-67

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Ishchenko, D. V."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji