Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Ivanov, S. V."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-20 z 20
Tytuł :
Effect of Strongly Mismatched GaAs and InAs Inserts in a InAlAs Buffer Layer on the Structural and Optical Properties of Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs Quantum-Confined Heterostructures.
Autorzy :
Solov'ev, V. A.
Chernov, M. Yu.
Komkov, O. S.
Firsov, D. D.
Sitnikova, A. A.
Ivanov, S. V.
Pokaż więcej
Temat :
MOLECULAR beam epitaxy
BUFFER layers
OPTICAL properties
AUDITING standards
FOURIER transform infrared spectroscopy
HETEROSTRUCTURES
Źródło :
JETP Letters; Mar2019, Vol. 109 Issue 6, p377-381, 5p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Spin-Dependent Electronic Dynamics in a Hybrid Nonresonance III-V/II-VI Heterostructure.
Autorzy :
Kaibyshev, V. Kh.
Toropov, A. A.
Sorokin, S. V.
Sedova, I. V.
Klimko, G. V.
Terent’ev, Ya. V.
Ivanov, S. V.
Pokaż więcej
Temat :
DILUTED magnetic semiconductors
GROUND state (Quantum mechanics)
ELECTRON spin
QUANTUM wells
HETEROSTRUCTURES
ELECTRONIC structure
Źródło :
Journal of Experimental & Theoretical Physics; Feb2018, Vol. 126 Issue 2, p210-216, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Metal-Semiconductor Nanoheterostructures with an AlGaN Quantum Well and In Situ Formed Surface Al Nanoislands.
Autorzy :
Evropeytsev, E. A.
Semenov, A. N.
Nechaev, D. V.
Jmerik, V. N.
Kaibyshev, V. Kh.
Troshkov, S. I.
Brunkov, P. N.
Usikova, A. A.
Ivanov, S. V.
Toropov, A. A.
Pokaż więcej
Temat :
SEMICONDUCTORS
ALUMINUM alloys
GALLIUM nitride
QUANTUM wells
MOLECULAR beam epitaxy
HETEROSTRUCTURES
Źródło :
Semiconductors; May2018, Vol. 52 Issue 5, p622-624, 3p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Mid-Infrared (λ = 2.775μm) Injection Laser Based on AlGaAsSb/InAs/CdMgSe Hybrid Double Heterostructure Grown by Molecular-Beam Epitaxy.
Autorzy :
Ivanov, S. V.
Moiseev, K. D.
Kaıgorodov, V. A.
Solov’ev, V. A.
Sorokin, S. V.
Meltser, B. Ya.
Grebenshchikova, E. A.
Sedova, I. V.
Terent’ev, Ya. V.
Semenov, A. N.
Astakhova, A. P.
Mikhaılova, M. P.
Toropov, A. A.
Yakovlev, Yu. P.
Kop’ev, P. S.
Alferov, Zh. I.
Pokaż więcej
Źródło :
Semiconductors. Jun2003, Vol. 37 Issue 6, p736. 4p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Spontaneous and stimulated emission in the mid-ultraviolet range of quantum-well heterostructures based on AlGaN compounds grown by molecular beam epitaxy on c-sapphire substrates.
Autorzy :
Lutsenko, E. V.
Rzheutskii, N. V.
Pavlovskii, V. N.
Yablonskii, G. P.
Nechaev, D. V.
Sitnikova, A. A.
Ratnikov, V. V.
Kuznetsova, Ya. V.
Zhmerik, V. N.
Ivanov, S. V.
Pokaż więcej
Temat :
ALUMINUM gallium nitride
PHOTON emission
STIMULATED emission
ULTRAVIOLET spectroscopy
QUANTUM wells
HETEROSTRUCTURES
MOLECULAR beam epitaxy
SAPPHIRES
SUBSTRATES (Materials science)
Źródło :
Physics of the Solid State; Oct2013, Vol. 55 Issue 10, p2173-2181, 9p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
AlGaN-based quantum-well heterostructures for deep ultraviolet light-emitting diodes grown by submonolayer discrete plasma-assisted molecular-beam epitaxy.
Autorzy :
Jmerik, V. N.
Mizerov, A. M.
Shubina, T. V.
Sakharov, A. V.
Sitnikova, A. A.
Kop'ev, P. S.
Ivanov, S. V.
Lutsenko, E. V.
Danilchyk, A. V.
Rzheutskii, N. V.
Yablonskii, G. P.
Pokaż więcej
Temat :
HETEROSTRUCTURES
QUANTUM wells
LIGHT emitting diodes
MOLECULAR beam epitaxy
NANOSTRUCTURES
Źródło :
Semiconductors; Dec2008, Vol. 42 Issue 12, p1420-1426, 7p, 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Midinfrared Injection-Pumped Laser Based on a III–V/II–VI Hybrid Heterostructure with Submonolayer InSb Insets.
Autorzy :
Solov'ev, V. A.
Sedova, I. V.
Lyublinskaya, O. G.
Semenov, A. N.
Mel'tser, B. Ya.
Sorokin, S. V.
Terent'ev, Ya. V.
Ivanov, S. V.
Pokaż więcej
Temat :
ELECTROLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
CHARGE exchange
QUANTUM dots
QUANTUM electronics
SEMICONDUCTORS
Źródło :
Technical Physics Letters; Mar2005, Vol. 31 Issue 3, p235-237, 3p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Formation of two-dimensional islands in the deposition of ultrathin InSb layers on a GaSb surface.
Autorzy :
Tsatsul’nikov, A. F.
Bedarev, D. A.
Volovik, B. V.
Ivanov, S. V.
Maksimov, M. V.
Musikhin, Yu. G.
Ledentsov, N. N.
Mel’tser, B. Ya.
Solov’ev, V. A.
Kop’ev, P. S.
Chernyshov, A. Yu.
Belousov, M. V.
Pokaż więcej
Temat :
HETEROSTRUCTURES
MOLECULAR beam epitaxy
QUANTUM dots
Źródło :
Semiconductors; Aug99, Vol. 33 Issue 8, p886, 3p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-20 z 20

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies