Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Ivanov, S. V."" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-20 z 20
    Tytuł:
    Reduction of Misfit Dislocation Density in Metamorphic Heterostructures by Design Optimization of the Buffer Layer with Non-Linear Graded Composition Profile.
    Autorzy:
    Chernov, M. Yu.
    Solov'ev, V. A.
    Ivanov, S. V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    BUFFER layers
    DISLOCATION density
    MODULATION-doped field-effect transistors
    HETEROSTRUCTURES
    RESIDUAL stresses
    TRANSMISSION electron microscopy
    ELECTRON density
    Źródło:
    Semiconductors; Mar2023, Vol. 57 Issue 3, p153-159, 7p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Photoconductive THz Detector Based on New Functional Layers in Multi-Layer Heterostructures.
    Autorzy:
    Yachmenev, A. E.
    Lavrukhin, D. V.
    Khabibullin, R. A.
    Goncharov, Yu. G.
    Spector, I. E.
    Zaytsev, K. I.
    Solov'ev, V. A.
    Ivanov, S. V.
    Ponomarev, D. S.
    Pokaż więcej
    Temat:
    HETEROSTRUCTURES
    TERAHERTZ spectroscopy
    DETECTORS
    IMAGING systems
    SPECTRAL imaging
    CRYSTAL lattices
    Źródło:
    Optics & Spectroscopy; Aug2021, Vol. 129 Issue 8, p851-856, 6p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Effect of Strongly Mismatched GaAs and InAs Inserts in a InAlAs Buffer Layer on the Structural and Optical Properties of Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs Quantum-Confined Heterostructures.
    Autorzy:
    Solov'ev, V. A.
    Chernov, M. Yu.
    Komkov, O. S.
    Firsov, D. D.
    Sitnikova, A. A.
    Ivanov, S. V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    MOLECULAR beam epitaxy
    BUFFER layers
    OPTICAL properties
    AUDITING standards
    FOURIER transform infrared spectroscopy
    HETEROSTRUCTURES
    Źródło:
    JETP Letters; Mar2019, Vol. 109 Issue 6, p377-381, 5p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Mid-Infrared (λ = 2.775μm) Injection Laser Based on AlGaAsSb/InAs/CdMgSe Hybrid Double Heterostructure Grown by Molecular-Beam Epitaxy.
    Autorzy:
    Ivanov, S. V.
    Moiseev, K. D.
    Kaıgorodov, V. A.
    Solov’ev, V. A.
    Sorokin, S. V.
    Meltser, B. Ya.
    Grebenshchikova, E. A.
    Sedova, I. V.
    Terent’ev, Ya. V.
    Semenov, A. N.
    Astakhova, A. P.
    Mikhaılova, M. P.
    Toropov, A. A.
    Yakovlev, Yu. P.
    Kop’ev, P. S.
    Alferov, Zh. I.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Semiconductors. Jun2003, Vol. 37 Issue 6, p736. 4p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Nanoheterostructures with CdTe/ZnMgSeTe Quantum Dots for Single-Photon Emitters Grown by Molecular Beam Epitaxy.
    Autorzy:
    Sorokin, S. V.
    Sedova, I. V.
    Belyaev, K. G.
    Rakhlin, M. V.
    Yagovkina, M. A.
    Toropov, A. A.
    Ivanov, S. V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    MOLECULAR beam epitaxy
    QUANTUM dots
    HETEROSTRUCTURES
    PHOTON emission
    PHOTOLUMINESCENCE
    Źródło:
    Technical Physics Letters; Mar2018, Vol. 44 Issue 3, p267-270, 4p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Spin-Dependent Electronic Dynamics in a Hybrid Nonresonance III-V/II-VI Heterostructure.
    Autorzy:
    Kaibyshev, V. Kh.
    Toropov, A. A.
    Sorokin, S. V.
    Sedova, I. V.
    Klimko, G. V.
    Terent’ev, Ya. V.
    Ivanov, S. V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    DILUTED magnetic semiconductors
    GROUND state (Quantum mechanics)
    ELECTRON spin
    QUANTUM wells
    HETEROSTRUCTURES
    ELECTRONIC structure
    Źródło:
    Journal of Experimental & Theoretical Physics; Feb2018, Vol. 126 Issue 2, p210-216, 7p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Metal-Semiconductor Nanoheterostructures with an AlGaN Quantum Well and In Situ Formed Surface Al Nanoislands.
    Autorzy:
    Evropeytsev, E. A.
    Semenov, A. N.
    Nechaev, D. V.
    Jmerik, V. N.
    Kaibyshev, V. Kh.
    Troshkov, S. I.
    Brunkov, P. N.
    Usikova, A. A.
    Ivanov, S. V.
    Toropov, A. A.
    Pokaż więcej
    Temat:
    SEMICONDUCTORS
    ALUMINUM alloys
    GALLIUM nitride
    QUANTUM wells
    MOLECULAR beam epitaxy
    HETEROSTRUCTURES
    Źródło:
    Semiconductors; May2018, Vol. 52 Issue 5, p622-624, 3p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Study of photoluminescence and electroluminescence mechanisms in quantum-confined InSb/InAs heterostructures.
    Autorzy:
    Terent'ev, Ya. V.
    Mukhin, M. S.
    Solov'ev, V. A.
    Semenov, A. N.
    Meltser, B. Ya.
    Usikova, A. A.
    Ivanov, S. V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    PHOTOLUMINESCENCE
    CRYSTALS
    HETEROSTRUCTURES
    LUMINESCENCE
    SEMICONDUCTORS
    Źródło:
    Semiconductors; Aug2010, Vol. 44 Issue 8, p1064-1069, 6p, 2 Charts, 4 Graphs
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    AlGaN-based quantum-well heterostructures for deep ultraviolet light-emitting diodes grown by submonolayer discrete plasma-assisted molecular-beam epitaxy.
    Autorzy:
    Jmerik, V. N.
    Mizerov, A. M.
    Shubina, T. V.
    Sakharov, A. V.
    Sitnikova, A. A.
    Kop'ev, P. S.
    Ivanov, S. V.
    Lutsenko, E. V.
    Danilchyk, A. V.
    Rzheutskii, N. V.
    Yablonskii, G. P.
    Pokaż więcej
    Temat:
    HETEROSTRUCTURES
    QUANTUM wells
    LIGHT emitting diodes
    MOLECULAR beam epitaxy
    NANOSTRUCTURES
    Źródło:
    Semiconductors; Dec2008, Vol. 42 Issue 12, p1420-1426, 7p, 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Midinfrared Injection-Pumped Laser Based on a III–V/II–VI Hybrid Heterostructure with Submonolayer InSb Insets.
    Autorzy:
    Solov'ev, V. A.
    Sedova, I. V.
    Lyublinskaya, O. G.
    Semenov, A. N.
    Mel'tser, B. Ya.
    Sorokin, S. V.
    Terent'ev, Ya. V.
    Ivanov, S. V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    ELECTROLUMINESCENCE
    HETEROSTRUCTURES
    CHARGE exchange
    QUANTUM dots
    QUANTUM electronics
    SEMICONDUCTORS
    Źródło:
    Technical Physics Letters; Mar2005, Vol. 31 Issue 3, p235-237, 3p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Formation of two-dimensional islands in the deposition of ultrathin InSb layers on a GaSb surface.
    Autorzy:
    Tsatsul’nikov, A. F.
    Bedarev, D. A.
    Volovik, B. V.
    Ivanov, S. V.
    Maksimov, M. V.
    Musikhin, Yu. G.
    Ledentsov, N. N.
    Mel’tser, B. Ya.
    Solov’ev, V. A.
    Kop’ev, P. S.
    Chernyshov, A. Yu.
    Belousov, M. V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    HETEROSTRUCTURES
    MOLECULAR beam epitaxy
    QUANTUM dots
    Źródło:
    Semiconductors; Aug99, Vol. 33 Issue 8, p886, 3p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
      Wyświetlanie 1-20 z 20

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies