Autor: "Ivina, N. L." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Ivina, N. L."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 69

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Specific Features of the Interaction of a Germane Molecule with Germanium Surface in Vacuum in the Presence of Hydrogen Flow
Autorzy:: Ivina, N. L.Aff1, IDS1063784221060098_cor1
Kondrashina, K. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics. 66(7):883-894

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: CHARACTERIZATION OF INTERFACE LAYERS OF A SOLID SOLUTION FORMED DURING THE GROWTH OF A CARBIDE LAYER ON SILICON FROM HYDROGEN CONTAINING COMPOUNDS
Autorzy:: Orlov, L. K.Aff1, Aff2
Vdovin, V. I.
Drozdov, Yu. N.
Orlov, M. L.
Ivina, N. L.
Steinman, E. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Structural Chemistry. 62(4):630-640

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Microcrystalline Structure and Light-Emitting Properties of 3C–SiC Island Films Grown on the Si(100) Surface
Autorzy:: Orlov, L. K.Aff1, Aff2
Vdovin, V. I.
Ivina, N. L.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. 61(7):1263-1271

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Features of the Initial Stage of the Heteroepitaxy of Silicon Layers on Germanium When Grown from Silicon Hydrides
Autorzy:: Orlov, L. K.Aff1, Aff2
Ivina, N. L.
Bozhenkin, V. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 53(7):979-988

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Electric-Field Behavior of the Resonance Features of the Tunneling Photocurrent Component in InAs(QD)/GaAs Heterostructures
Autorzy:: Orlov, M. L.Aff1, Aff3
Volkova, N. S.
Ivina, N. L.
Orlov, L. K.Aff3, Aff4; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 52(9):1129-1136

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Structure and electronic properties of the 3C-SiC/SiGeC/Si(100) heterojunction formed by the vacuum chemical epitaxy method
Autorzy:: Orlov, L. K.
Vdovin, V. I.
Ivina, N. L.
Shteinman, E‘. A.
Orlov, M. L.
Drozdov, Yu. N.
Petrova, V. F.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Structural Chemistry. November 2014 55(6):1180-1189

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Features of electron transport in relaxed Si/Si1 − x Ge x transistor heterostructures with a high doping level
Autorzy:: Orlov, M. L.
Horvath, Zs. J.
Ivina, N. L.
Neverov, V. N.
Orlov, L. K.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. July 2014 48(7):942-953

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Features of the two-component decomposition of monosilane molecules on a silicon surface under epitaxial-process conditions
Autorzy:: Ivina, N. L.
Orlov, L. K.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. June 2014 48(6):828-837

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Specificity of mono- and disilane decomposition at silicon surface under conditions of epitaxial growth
Autorzy:: Orlov, L. K.
Ivina, N. L.
Smyslova, T. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Journal of General Chemistry. December 2013 83(12):2240-2250

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Kinetics of the decomposition of disilane molecules on a silicon growth surface in vacuum chemical epitaxy
Autorzy:: Ivina, N. L.
Smyslova, T. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Russian Journal of Physical Chemistry B: Focus on Physics. May 2013 7(3):244-250

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Features and mechanisms of growth of cubic silicon carbide films on silicon
Autorzy:: Orlov, L. K.
Steinman, E. A.
Smyslova, T. N.
Ivina, N. L.
Tereshchenko, A. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. April 2012 54(4):708-715

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Specific features and mechanisms of photoluminescence of nanostructured silicon carbide films grown on silicon in vacuum
Autorzy:: Orlov, L. K.
Shteinman, E. A.
Ivina, N. L.
Vdovin, V. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. September 2011 53(9):1798-1805

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Structure and ultraviolet photoluminescence of 3C-SiC films grown on Si(111)
Autorzy:: Orlov, L. K.
Drozdov, Yu. N.
Alyabina, N. A.
Ivina, N. L.
Vdovin, V. I.
Dmitruk, I. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. March 2009 51(3):474-480

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Anomalous electrical properties of Si/Si1 − x Ge x heterostructures with an electron transport channel in Si layers
Autorzy:: Orlov, L. K.
Horvath, Z. J.
Orlov, M. L.
Lonchakov, A. T.
Ivina, N. L.
Dobos, L.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. February 2008 50(2):330-340

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Formation of a system of InGaAs quantum wires in a gallium arsenide matrix
Autorzy:: Orlov, L. K.
Ivina, N. L.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. May 2004 46(5):942-947

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Role of surface segregation in formation of abrupt interfaces in Si/Si1−x Gex heterocompositions grown by molecular-beam epitaxy with combined sources
Autorzy:: Orlov, L. K.
Ivina, N. L.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. February 2002 36(2):191-196

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Effect of surface segregation on the sharpness of heteroboundaries in multilayered Si(Ge)/Si1−x Gex structures grown from atomic beams in vacuum
Autorzy:: Ivina, N. L.
Orlov, L. K.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. June 2001 43(6):1182-1187

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Mass transfer in non-steady-state hydride epitaxy of Si1−x Gex/Si structures
Autorzy:: Orlov, L. K.
Ivin, S. V.
Potapov, A. V.
Ivina, N. L.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics. April 2001 46(4):417-421

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Evaluation of compositional intermixing at interfaces in Si(Ge)/Si1−x Gex heteroepitaxial structures grown by molecular beam epitaxy with combined sources of Si and GeH4
Autorzy:: Orlov, L. K.
Ivina, N. L.
Potapov, A. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. October 2000 34(10):1103-1108

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 69

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Ivina, N. L."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji