- Tytuł:
- Barrier height modification in Au/Ti/n-GaAs devices with a HfO2 interfacial layer formed by atomic layer deposition.
- Autorzy:
- Źródło:
-
Bulletin of Materials Science . Feb2019, Vol. 42 Issue 1, p1-1. 1p.
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.