- Tytuł :
-
Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al
0.26 Ga0.74 N|GaN|Si HEMTs - Autorzy :
- Źródło :
- Semiconductors. 55(3):379-383
-
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.