- Tytuł:
-
Barrier height modification in Au/Ti/n-GaAs devices with a HfO2 interfacial layer formed by
atomic layer deposition . - Autorzy:
- Źródło:
- Bulletin of Materials Science. Feb2019, Vol. 42 Issue 1, p1-1. 1p.
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.