Autor: "Jabli, F." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Jabli, F."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-5 z 5

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.
Autorzy :: Jabli, F.
Dhouibi, S.
Gassoumi, M.; Pokaż więcej
Temat :: MODULATION-doped field-effect transistors
PASSIVATION
METAL semiconductor field-effect transistors
GALLIUM nitride
LEAKAGE
VOLTAGE
TEMPERATURE
Źródło :: Semiconductors; Mar2021, Vol. 55 Issue 3, p379-383, 5p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 2 2.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Wyświetlanie 1-5 z 5

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Jabli, F."" wg kryterium: Autor

Aktywne filtry:

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu