- Tytuł:
-
Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al
0.26 Ga0.74 N|GaN|Si HEMTs - Autorzy:
- Źródło:
- Semiconductors. 55(3):379-383
Czasopismo naukowe
Menu główne
Wyszukiwarka
Treść główna
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.
Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.
Formularz