- Tytuł:
- Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.
- Autorzy:
- Źródło:
- Semiconductors. Mar2021, Vol. 55 Issue 3, p379-383. 5p.
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.
Ваш відгук дуже важливий для нас і може бути надзвичайно корисним, щоб показати нам, де ми можемо покращити. Ми були б дуже вдячні, якби ви витратили кілька хвилин, щоб заповнити цю коротку форму.
Формуляр