- Tytuł:
-
Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al
0.26 Ga0.74 N|GaN|Si HEMTs
Czasopismo naukowe
- Tytuł:
-
Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al
0.26 Ga0.74 N|GaN|Si HEMTs - Autorzy:
- Źródło:
- Semiconductors. 55(3):379-383
Czasopismo naukowe