Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Jabli, F."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.
Autorzy:
Jabli, F.
Dhouibi, S.
Gassoumi, M.
Temat:
MODULATION-doped field-effect transistors
PASSIVATION
METAL semiconductor field-effect transistors
GALLIUM nitride
LEAKAGE
VOLTAGE
TEMPERATURE
Źródło:
Semiconductors; Mar2021, Vol. 55 Issue 3, p379-383, 5p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies