- Tytuł:
- Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.
- Autorzy:
- Źródło:
- Semiconductors. Mar2021, Vol. 55 Issue 3, p379-383. 5p.
Menu główne
Wyszukiwarka
Treść główna
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.
Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.
Formularz