Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Jacob, B."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Current gain above 10 in sub-10nm base III-Nitride tunneling hot electron transistors with GaN/AlN emitter.
Autorzy :
Zhichao Yang
Yuewei Zhang
Krishnamoorthy, Sriram
Nath, Digbijoy N.
Khurgin, Jacob B.
Rajan, Siddharth
Pokaż więcej
Temat :
HOT carriers
TRANSISTOR amplifiers
NITRIDES
CURRENT density (Electromagnetism)
WIDE gap semiconductors
Źródło :
Applied Physics Letters; 5/9/2016, Vol. 108 Issue 19, p192101-1-192101-3, 3p, 4 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies