Autor: "Jacobs, Alan G." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Jacobs, Alan G."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-19 z 19

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: PtOx Schottky Contacts on Degenerately Doped 2¯01β-Ga2O3 Substrates
Autorzy:: Spencer, Joseph A.Aff1, Aff2, IDs11664024109665_cor1
Jacobs, Alan G.
Hobart, Karl D.
Koehler, Andrew D.
Anderson, Travis J.
Zhang, Yuhao
Tadjer, Marko J.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. :1-8

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Using machine learning with optical profilometry for GaN wafer screening
Autorzy:: Gallagher, James C.Aff1, IDs41598023291079_cor1
Mastro, Michael A.
Ebrish, Mona A.
Jacobs, Alan G.
Gunning, Brendan P.
Kaplar, Robert J.
Hobart, Karl D.
Anderson, Travis J.; Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 13(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Optimizing performance and yield of vertical GaN diodes using wafer scale optical techniques
Autorzy:: Gallagher, James C.Aff1, IDs41598021041702_cor1
Ebrish, Mona A.
Porter, Matthew A.
Jacobs, Alan G.
Gunning, Brendan P.
Kaplar, Robert J.
Hobart, Karl D.
Anderson, Travis J.; Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 12(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Detecting defects that reduce breakdown voltage using machine learning and optical profilometry.
Autorzy:: Gallagher, James C.
Mastro, Michael A.
Jacobs, Alan G.
Kaplar, Robert. J.
Hobart, Karl D.
Anderson, Travis J.; Pokaż więcej
Temat:: MACHINE learning
SEMICONDUCTOR manufacturing
SEMICONDUCTOR wafers
INTEGRATED circuits
HIGH voltages
BREAKDOWN voltage
LOW voltage systems
Źródło:: Scientific Reports; 3/28/2024, Vol. 14, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Process Optimization for Selective Area Doping of GaN by Ion Implantation
Autorzy:: Ebrish, Mona A.Aff1, IDs11664021089848_cor1
Anderson, Travis J.
Jacobs, Alan G.
Gallagher, James C.
Hite, Jennifer K.
Mastro, Michael A.
Feigelson, Boris N.
Wang, Yekan
Liao, Michael
Goorsky, Mark
Hobart, Karl D.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 50(8):4642-4649

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Role of Capping Material and GaN Polarity on Mg Ion Implantation Activation.
Autorzy:: Jacobs, Alan G.
Feigelson, Boris N.
Hite, Jennifer K.
Gorsak, Cameron A.
Luna, Lunet E.
Anderson, Travis J.
Kub, Francis J.; Pokaż więcej
Temat:: ION implantation
METAL organic chemical vapor deposition
PLASMA-enhanced chemical vapor deposition
SILICON nitride
MAGNESIUM
METAL activation
ALUMINUM nitride
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2020, Vol. 217 Issue 7, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: μ-Rainbow: CdSe Nanocrystal Photoluminescence Gradients via Laser Spike Annealing for Kinetic Investigations and Tunable Device Design.
Autorzy:: Treml, Benjamin E.
Jacobs, Alan G.
Bell, Robert T.
Thompson, Michael O.
Hanrath, Tobias; Pokaż więcej
Źródło:: Nano Letters; Feb2016, Vol. 16 Issue 2, p967-972, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-19 z 19

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Jacobs, Alan G."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji