Electrical activity at the AlN/Si Interface: identifying the main origin of propagation losses in GaN-on-Si devices at microwave frequencies.
Autorzy:
Bah M; GREMAN UMR-CNRS 7347, Université de Tours, INSA Centre Val de Loire, 16 rue Pierre et Marie Curie, BP 7155, 37071, Tours Cedex 2, France. Valente D; GREMAN UMR-CNRS 7347, Université de Tours, INSA Centre Val de Loire, 16 rue Pierre et Marie Curie, BP 7155, 37071, Tours Cedex 2, France. Lesecq M; CNRS-IEMN - Université de Lille, UMR8520, Av. Poincaré, 59650, Villeneuve d'Ascq, France. Defrance N; CNRS-IEMN - Université de Lille, UMR8520, Av. Poincaré, 59650, Villeneuve d'Ascq, France. Garcia Barros M; CNRS-IEMN - Université de Lille, UMR8520, Av. Poincaré, 59650, Villeneuve d'Ascq, France. De JaegerJC; CNRS-IEMN - Université de Lille, UMR8520, Av. Poincaré, 59650, Villeneuve d'Ascq, France. Frayssinet E; Université Côte d'Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France. Comyn R; Université Côte d'Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France. Ngo TH; Université Côte d'Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France. Alquier D; GREMAN UMR-CNRS 7347, Université de Tours, INSA Centre Val de Loire, 16 rue Pierre et Marie Curie, BP 7155, 37071, Tours Cedex 2, France. . Cordier Y; Université Côte d'Azur, CNRS, CRHEA, rue B. Gregory, 06560, Valbonne, France. .
Pokaż więcej
Źródło:
Scientific reports [Sci Rep] 2020 Aug 25; Vol. 10 (1), pp. 14166. Date of Electronic Publication: 2020 Aug 25.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies