Autor: "Jaraı́z, M." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Metaheuristic Approaches for Optimal Broadcasting Design in Metropolitan MANETs
Autorzy:: Alba, E.
Cervantes, A.
Gómez, J. A.
Isasi, P.
Jaraíz, M. D.
León, C.
Luque, C.
Luna, F.
Miranda, G.
Nebro, A. J.
Pérez, R.
Segura, C.; Pokaż więcej
Źródło:: Computer Aided Systems Theory – EUROCAST 2007 : 11th International Conference on Computer Aided Systems Theory, Las Palmas de Gran Canaria, Spain, February 12-16, 2007, Revised Selected Papers. 4739:755-763

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Atomistic Modeling of Defect Diffusion in SiGe
Autorzy:: Castrillo, P.
Pinacho, R.
Rubio, J. E.
Vega, L. M.
Jaraiz, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007 : SISPAD 2007. :9-12

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Atomistic Simulations in Materials Processing
Autorzy:: Jaraiz, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Predictive Simulation of Semiconductor Processing : Status and Challenges. 72:73-109

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Atomistic modeling of defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures
Autorzy:: Castrillo, P.
Jaraiz, M.
Pinacho, R.
Rubio, J.E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Thin Solid Films 2010 518(9):2448-2453

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Atomistic Front-End Process Modelling: A Powerful Tool for Deep-Submicron Device Fabrication
Autorzy:: Jaraiz, M.
Castrillo, P.
Pinacho, R.
Martin-Bragado, I.
Barbolla, J.; Pokaż więcej
Źródło:: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001 : SISPAD 01. :10-17

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: The use of extended-defect dissolution as a probe for stress-induced interstitial diffusion anisotropy
Autorzy:: Castrillo, P.
Pinacho, R.
Jaraiz, M.
Rubio, J.E.
Singer, J.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2008 154:260-263

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Effects of Near-Interface Defects on the Optical Properties of MBE Grown GaAs/AlGaAs Layers
Autorzy:: Jaraiz, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Crucial Issues in Semiconductor Materials and Processing Technologies. 222:79-82

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Modeling charged defects, dopant diffusion and activation mechanisms for TCAD simulations using kinetic Monte Carlo
Autorzy:: Martin-Bragado, Ignacio
Tian, S.
Johnson, M.
Castrillo, P.
Pinacho, R.
Rubio, J.
Jaraiz, M.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B December 2006 253(1-2):63-67

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Bimodal distribution of damage morphology generated by ion implantation
Autorzy:: Mok, K.R.C.
Jaraiz, M.
Martin-Bragado, I.
Rubio, J.E.
Castrillo, P.
Pinacho, R.
Srinivasan, M.P.
Benistant, F.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2005 124:389-391

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Dose loss and segregation of boron and arsenic at the Si/SiO 2 interface by atomistic kinetic Monte Carlo simulations
Autorzy:: Rubio, J.E.
Jaraiz, M.
Martin-Bragado, I.
Castrillo, P.
Pinacho, R.
Barbolla, J.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2005 124:392-396

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Ion-implant simulations: The effect of defect spatial correlation on damage accumulation
Autorzy:: Mok, K.R.C.
Jaraiz, M.
Martin-Bragado, I.
Rubio, J.E.
Castrillo, P.
Pinacho, R.
Srinivasan, M.P.
Benistant, F.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2005 124:386-388

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Comprehensive modeling of ion-implant amorphization in silicon
Autorzy:: Mok, K.R.C.
Jaraiz, M.
Martin-Bragado, I.
Rubio, J.E.
Castrillo, P.
Pinacho, R.
Srinivasan, M.P.
Benistant, F.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2005 124:383-385

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Physically based modeling of dislocation loops in ion implantation processing in silicon
Autorzy:: Castrillo, P.
Martin-Bragado, I.
Pinacho, R.
Jaraiz, M.
Rubio, J.E.
Mok, K.R.C.
Miguel-Herrero, F.J.
Barbolla, J.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2005 124:404-408

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: A kinetic Monte Carlo annealing assessment of the dominant features from ion implant simulations
Autorzy:: Martin-Bragado, I.
Jaraiz, M.
Castrillo, P.
Pinacho, R.
Rubio, J.E.
Barbolla, J.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2004 114:345-348

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Physical modeling of Fermi-level effects for decanano device process simulations
Autorzy:: Martin-Bragado, I.
Pinacho, R.
Castrillo, P.
Jaraiz, M.
Rubio, J.E.
Barbolla, J.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2004 114:284-289

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Physically based modelling of damage, amorphization, and recrystallization for predictive device-size process simulation
Autorzy:: Rubio, J.E.
Jaraiz, M.
Martin-Bragado, I.
Pinacho, R.
Castrillo, P.
Barbolla, J.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2004 114:151-155

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Comprehensive, physically based modelling of As in Si
Autorzy:: Pinacho, R.
Jaraiz, M.
Castrillo, P.
Rubio, J.E.
Martin-Bragado, I.
Barbolla, J.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2004 114:135-140

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Multiscale Modeling of the Implantation and Annealing of Silicon Devices
Autorzy:: Gilmer, G. H.
Pelaz, L.
Rafferty, C.
Jaraiz, M.; Pokaż więcej
Źródło:: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 1998 : SISPAD 98. :46-47

Książka elektroniczna

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Statistical 3D damage accumulation model for ion implant simulators
Autorzy:: Hernández-Mangas, J.M.
Lázaro, J.
Enriquez, L.
Bailón, L.
Barbolla, J.
Jaraı́z, M.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2003 202:138-142

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Jaraı́z, M."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język