Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Jessen, G.H."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Improved dc and power performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with Sc 2O 3 gate dielectric or surface passivation
Autorzy :
Luo, B.
Pokaż więcej
Źródło :
In Contains papers selected from the 12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Solid State Electronics 2003 47(10):1781-1786
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies