Autor: "Jessen, G.H." - OpacWWW - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Jessen, G.H."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-9 z 9

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Ohmic contact characterization of AlGaN/GaN device layers with spatially localized LEEN spectroscopy
Autorzy:: Jessen, G.H
White, B.D
Bradley, S.T
Smith, P.E
Brillson, L.J
Van Nostrand, J.E
Fitch, R
Via, G.D
Gillespie, J.K
Dettmer, R.W
Sewell, J.S; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics 2002 46(9):1427-1431

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Low energy electron-excited nano-luminescence spectroscopy of GaN surfaces and interfaces
Autorzy:: Brillson, L.J
Young, A.P
Jessen, G.H
Levin, T.M
Bradley, S.T
Goss, S.H
Bae, J
Ponce, F.A
Murphy, M.J
Schaff, W.J
Eastman, L.F; Pokaż więcej
Źródło:: In Applied Surface Science 15 May 2001 175-176:442-449

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Localized states at GaN surfaces, Schottky barriers, and quantum well interfaces
Autorzy:: Brillson, L.J
Young, A.P
Levin, T.M
Jessen, G.H
Schäfer, J
Yang, Y
Xu, S.H
Cruguel, H
Lapeyre, G.J
Ponce, F.A
Naoi, Y
Tu, C
McKenzie, J.D
Abernathy, C.R; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2000 75(2):218-223

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Defect formation near GaN surfaces and interfaces
Autorzy:: Brillson, L.J
Levin, T.M
Jessen, G.H
Young, A.P
Tu, C
Naoi, Y
Ponce, F.A
Yang, Y
Lapeyre, G.J
MacKenzie, J.D
Abernathy, C.R; Pokaż więcej
Źródło:: In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 December 1999 273-274:70-74

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Improved dc and power performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with Sc2O3 gate dielectric or surface passivation
Autorzy:: Luo, B.
Mehandru, R.
Kim, Jihyun
Ren, F.
Gila, B.P.
Onstine, A.H.
Abernathy, C.R.
Pearton, S.J.
Gotthold, D.
Birkhahn, R.
Peres, B.
Fitch, R.C.
Moser, N.
Gillespie, J.K.
Jessen, G.H.
Jenkins, T.J.
Yannuzi, M.J.
Via, G.D.
Crespo, A.; Pokaż więcej
Źródło:: Solid-State Electronics. Oct2003, Vol. 47 Issue 10, p1781. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-9 z 9

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies