- Tytuł:
- Characterization and formation mechanism of short step-bunching defects on 4H-SiC thick homoepitaxial films
- Autorzy:
- Źródło:
- In Journal of Crystal Growth 15 May 2024 634
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.