Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Jing Neng Yao"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Evaluation of a 100-nm Gate Length E-Mode InAs High Electron Mobility Transistor With Ti/Pt/Au Ohmic Contacts and Mesa Sidewall Channel Etch for High-Speed and Low-Power Logic Applications
    Autorzy:
    Jing-Neng Yao
    Yueh-Chin Lin
    Heng-Tung Hsu
    Kai-Chun Yang
    Hisang-Hua Hsu
    Simon M. Sze
    Edward Yi Chang
    Pokaż więcej
    Temat:
    InAs
    E-mode
    sidewall etch
    non-alloyed
    Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
    TK1-9971
    Źródło:
    IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 797-802 (2018)
    Opis pliku:
    electronic resource
    Relacje:
    https://ieeexplore.ieee.org/document/8404134/; https://doaj.org/toc/2168-6734
    Dostęp URL:
    https://doaj.org/article/6b68bae5aab847b3b36a1eb476edad54  Link otwiera się w nowym oknie
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies