Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Kabouche, Riad"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-15 z 15
Tytuł :
Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors
Autorzy :
Lu, Jun
Chen, Jr-Tai
Dahlqvist, Martin
Kabouche, Riad
Medjdoub, Farid
Rosen, Johanna
Kordina, Olof
Hultman, Lars
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2019, 115 (22), pp.221601. ⟨10.1063/1.5123374⟩
Tytuł :
Low On‐Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superlattice GaN‐on‐Silicon Heterostructures
Autorzy :
Kabouche, Riad
Abid, Idriss
Püsche, Roland
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Tajalli, Alaleh
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
physica status solidi (a)
physica status solidi (a), Wiley, 2019, pp.1900687. ⟨10.1002/pssa.201900687⟩
Tytuł :
High Lateral Breakdown Voltage in Thin Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on AlN/Sapphire Templates
Autorzy :
Abid, Idriss
Kabouche, Riad
Bougerol, Catherine
Pernot, Julien
Masante, Cédric
Comyn, Rémi
Cordier, Yvon
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
Mechanical engineering and machinery
TJ1-1570
gan
high-electron-mobility transistor (hemt)
ultra-wide band gap
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Article
Źródło :
Micromachines, MDPI, 2019, 10 (10), pp.690. ⟨10.3390/mi10100690⟩
Micromachines, Vol 10, Iss 10, p 690 (2019)
Opis pliku :
application/pdf
Tytuł :
High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band Applications with an Improved Thermal Dissipation
Autorzy :
Kabouche, Riad
Pecheux, Romain
Harrouche, Kathia
Okada, Etienne
Medjdoub, Farid
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Gucmann, Filip
Middleton, Callum
Pomeroy, James
Kuball, Martin
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
International Journal of High Speed Electronics and Systems
International Journal of High Speed Electronics and Systems, World Scientific Publishing, 2019, 28 (01n02), pp.1940003. ⟨10.1142/S0129156419400032⟩
Tytuł :
High performance and highly robust AlN/GaN HEMTs for millimeter-wave operation
Autorzy :
Harrouche, Kathia
Kabouche, Riad
Okada, Etienne
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
IEEE Journal of the Electron Devices Society
IEEE Journal of the Electron Devices Society, IEEE Electron Devices Society, In press, pp.1-1. ⟨10.1109/JEDS.2019.2952314⟩
Tytuł :
DEVELOPMENT OF SETUP FOR ON-WAFER PULSE-TO-PULSE STABILITY CHARACTERIZATION OF GAN HEMT TRANSISTOR IN KU-BAND
Autorzy :
Pécheux, Romain
Ducournau, Guillaume
Kabouche, Riad
Okada, Etienne
Mondolot, Christian
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
16èmes Journées Nano, Micro, et Optoélectronique, JNMO 2018, Jun 2018, Agay, France. ⟨10.1002/pssa.201600797⟩
16èmes Journées Nano, Micro, et Optoélectronique, JNMO 2018
Tytuł :
DEVELOPMENT OF SETUP FOR ON-WAFER PULSE-TO-PULSE STABILITY CHARACTERIZATION OF GAN HEMT TRANSISTOR IN KU-BAND
Autorzy :
Pécheux, Romain
Ducournau, Guillaume
Kabouche, Riad
Okada, Etienne
Mondolot, Christian
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
16èmes Journées Nano, Micro, et Optoélectronique, JNMO 2018
16èmes Journées Nano, Micro, et Optoélectronique, JNMO 2018, Jun 2018, Agay, France. ⟨10.1002/pssa.201600797⟩
Tytuł :
High power, high PAE Q-band sub-10 nm barrier thickness AlN/GaN HEMTs.
Autorzy :
Dogmus, Ezgi
Kabouche, Riad
Linge, Astrid
Okada, Etienne
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
ALUMINUM nitride
GALLIUM nitride
ELECTRON energy band gaps
PERFORMANCE evaluation
ELECTRIC fields
Źródło :
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2017, Vol. 214 Issue 8, pn/a-N.PAG, 4p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-15 z 15

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies