Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Kabouche, Riad"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł :
Low On‐Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superlattice GaN‐on‐Silicon Heterostructures.
Autorzy :
Kabouche, Riad
Abid, Idriss
Püsche, Roland
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Tajalli, Alaleh
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
HETEROSTRUCTURES
BUFFER layers
POWER transistors
BREAKDOWN voltage
GALLIUM nitride
SUPERLATTICES
SILICON nitride
Źródło :
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2020, Vol. 217 Issue 7, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
High power, high PAE Q-band sub-10 nm barrier thickness AlN/GaN HEMTs.
Autorzy :
Dogmus, Ezgi
Kabouche, Riad
Linge, Astrid
Okada, Etienne
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
ALUMINUM nitride
GALLIUM nitride
ELECTRON energy band gaps
PERFORMANCE evaluation
ELECTRIC fields
Źródło :
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2017, Vol. 214 Issue 8, pn/a-N.PAG, 4p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies