Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Kabouche, Riad"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł :
High Lateral Breakdown Voltage in Thin Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on AlN/Sapphire Templates
Autorzy :
Abid, Idriss
Kabouche, Riad
Bougerol, Catherine
Pernot, Julien
Masante, Cédric
Comyn, Rémi
Cordier, Yvon
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
Mechanical engineering and machinery
TJ1-1570
gan
high-electron-mobility transistor (hemt)
ultra-wide band gap
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Article
Źródło :
Micromachines, MDPI, 2019, 10 (10), pp.690. ⟨10.3390/mi10100690⟩
Micromachines, Vol 10, Iss 10, p 690 (2019)
Opis pliku :
application/pdf
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies