Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Kabouche, Riad"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
High power, high PAE Q-band sub-10 nm barrier thickness AlN/GaN HEMTs.
Autorzy:
Dogmus, Ezgi
Kabouche, Riad
Linge, Astrid
Okada, Etienne
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat:
MODULATION-doped field-effect transistors
ALUMINUM nitride
GALLIUM nitride
ELECTRON energy band gaps
PERFORMANCE evaluation
ELECTRIC fields
Źródło:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2017, Vol. 214 Issue 8, pn/a-N.PAG, 4p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies