Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Kabouche, Riad"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Low On‐Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superlattice GaN‐on‐Silicon Heterostructures.
    Autorzy:
    Kabouche, Riad
    Abid, Idriss
    Püsche, Roland
    Derluyn, Joff
    Degroote, Stefan
    Germain, Marianne
    Tajalli, Alaleh
    Meneghini, Matteo
    Meneghesso, Gaudenzio
    Medjdoub, Farid
    Pokaż więcej
    Temat:
    HETEROSTRUCTURES
    BUFFER layers
    POWER transistors
    BREAKDOWN voltage
    GALLIUM nitride
    SUPERLATTICES
    SILICON nitride
    Źródło:
    Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2020, Vol. 217 Issue 7, p1-6, 6p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies