- Tytuł:
- Investigation of Power IR (850 nm) Light-Emitting Diodes Manufacturing by Lift-Off Technique of AlGaAs–GaAs-Heterostructure to Carrier-Substrate
- Autorzy:
- Źródło:
- Technical Physics. 68(12):663-667
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.