- Tytuł:
- Stress induced defect generation implications of doping HfO2 with Al
- Autorzy:
- Źródło:
- In Microelectronic Engineering September 2013 109:54-56
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.