- Tytuł:
- Spatially resolved X-ray diffraction measurements on (Al,Ga)N/GaN/4H-SiC heterostructures for electronic devices
- Autorzy:
- Źródło:
- In Materials Science in Semiconductor Processing 2006 9(1):8-14
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.