Autor: "Klimov, E. A." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Klimov, E. A."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 41-60 z 520

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 41 41.

Tytuł :: Study of new designs for the InAlAs metamorphic buffer on GaAs substrates with distributed compensation of elastic deformations
Autorzy :: Galiev, G. B.
Pushkarev, S. S.
Vasil’evskii, I. S.
Klimov, E. A.
Imamov, R. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. July 2013 47(7):997-1002
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 42 42.

Tytuł :: Persistent photoconductivity and electron mobility in In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP quantum-well structures
Autorzy :: Kulbachinskii, V. A.
Lunin, R. A.
Yuzeeva, N. A.
Vasilievskii, I. S.
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. July 2013 47(7):935-942
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 43 43.

Tytuł :: Electron mobilities in isomorphic In0.53Ga0.47As quantum wells on InP substrates
Autorzy :: Kulbachinskii, V. A.
Lunin, R. A.
Yuzeeva, N. A.
Vasil’evskii, I. S.
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Experimental and Theoretical Physics. May 2013 116(5):755-759
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 44 44.

Tytuł :: Study of the influence of strained superlattices introduced into a metamorphic buffer on the electrophysical properties and the atomic structure of InAlAs/InGaAs MHEMT heterostructures
Autorzy :: Galiev, G. B.
Pushkarev, S. S.
Vasil’evskii, I. S.
Zhigalina, O. M.
Klimov, E. A.
Zhigalina, V. G.
Imamov, R. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. April 2013 47(4):532-537
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 45 45.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 46 46.

Tytuł :: Influence of arsenic flow on the crystal structure of epitaxial GaAs grown at low temperatures on GaAs (100) and (111) A substrates.
Autorzy :: Galiev, G.
Klimov, E.
Vasiliev, A.
Imamov, R.
Pushkarev, S.
Trunkin, I.
Maltsev, P.; Pokaż więcej
Źródło :: Crystallography Reports. Jan2017, Vol. 62 Issue 1, p82-90. 9p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 47 47.

Tytuł :: Measurement of the concentration of 2D electrons in δ-doped InGaAs/GaAs pseudomorphic transistor structures using the photoluminescence spectroscopy
Autorzy :: Yaremenko, N. G.
Galiev, G. B.
Vasil’evskii, I. S.
Klimov, E. A.
Karachevtseva, M. V.
Strakhov, V. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Communications Technology and Electronics. March 2013 58(3):243-249
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48 48.

Tytuł :: Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts
Autorzy :: Šilenas, A.
Požela, Yu.
Požela, K.
Jucienė, V.
Vasil’evskii, I. S.
Galiev, G. B.
Pushkarev, S. S.
Klimov, E. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. March 2013 47(3):372-375
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 49 49.

Tytuł :: Structural and electrophysical analysis of MHEMT In0.70Al0.30As/In0.75Ga0.25As nanoheterostructures with different strain distributions in metamorphic buffer
Autorzy :: Galiev, G. B.
Pushkarev, S. S.
Vasil’evskii, I. S.
Klimov, E. A.
Imamov, R. M.
Subbotin, I. A.
Pavlenko, E. S.
Kvanin, A. L.; Pokaż więcej
Źródło :: Crystallography Reports. November 2012 57(6):841-847
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 50 50.

Tytuł :: Effects of phonon confinement on high-electric field electron transport in an InGaAs/InAlAs quantum well with an inserted InAs barrier
Autorzy :: Požela, K.
Šilėnas, A.
Požela, J.
Jucienė, V.
Galiev, G. B.
Vasil’evskii, J. S.
Klimov, E. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing. October 2012 109(1):233-237
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 51 51.

Tytuł :: Genetic basis of predisposition to panic disorder
Autorzy :: Korobeynikova, L. A.
Rudko, O. I.
Azimova, Yu. E.
Fokina, N. M.
Klimov, E. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Biology Bulletin Reviews. July 2012 2(4):294-305
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 52 52.

Tytuł :: Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts
Autorzy :: Ponomarev, D. S.
Vasil’evskii, I. S.
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Khabibullin, R. A.
Kulbachinskii, V. A.
Uzeeva, N. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. April 2012 46(4):484-490
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 53 53.

Tytuł :: What kind of psychology should be taught to future teachers, and how ?
Autorzy :: KLIMOV, E. A; Pokaż więcej
Temat :: Analyse institutionnelle
Institutional Analysis
Formation des enseignants
Teachers training
Moyen d'enseignement
Teaching Aid
Méthodologie
Methodology
Politique de l'éducation
Educational Policy
Relation maître-élève
Teacher-Pupil Relation
Sciences de l'éducation
Educational sciences
Personnel d'enseignement
Educational personnel
Enseignants
Teachers
Education
Éducation
Alternatywny tytuł :: Quelle sorte de psychologie devrait être enseignée aux futurs enseignants, et comment?
Źródło :: Russian education and society. 41(4):18-24
Materiał oryginalny :: INIST-CNRS
Opis pliku :: text
Dostęp URL :: http://pascal-francis.inist.fr/vibad/index.php?action=search&terms=1544183
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54 54.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 55 55.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 56 56.

Tytuł :: Erratum to: “Structural and electrical properties of InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT heterostructures on InP substrates with InAs inserts in quantum well”
Autorzy :: Galiev, G. B.
Vasiliev, A. L.
Imamov, R. M.
Klimov, E. A.
Maltsev, P. P.
Pushkarev, S. S.
Presniakov, M. Yu.
Trunkin, I. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Crystallography Reports. May 2015 60(3):449-449
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 57 57.

Tytuł :: Scattering and electron mobility in combination-doped HFET-structures AlGaAs/InGaAs/AlGaAs with high electron density
Autorzy :: Khabibullin, R. A.
Vasil’evskii, I. S.
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Ponomarev, D. S.
Lunin, R. A.
Kulbachinskii, V. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. October 2011 45(10):1321-1326
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 58 58.

Tytuł :: Structural and electrical properties of metamorphic nanoheterostructures with a high InAs content (37–100%) grown on GaAs and InP substrates
Autorzy :: Galiev, G. B.
Vasil’evskii, I. S.
Imamov, R. M.
Klimov, E. A.
Pushkarev, S. S.
Subbotin, I. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Crystallography Reports. September 2011 56(5):875-879
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 59 59.

Tytuł :: Interrelation of the construction of the metamorphic InAlAs/InGaAs nanoheterostructures with the InAs content in the active layer of 76–100% with their surface morphology and electrical properties
Autorzy :: Vasil’evskii, I. S.
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Kvanin, A. L.
Pushkarev, S. S.
Pushkin, M. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. September 2011 45(9):1158-1163
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 60 60.

Tytuł :: Electron mobility and drift velocity in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures
Autorzy :: Vasil’evskii, I. S.
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Požela, K.
Požela, J.
Jucienė, V.
Sužiedėlis, A.
Žurauskienė, N.
Keršulis, S.
Stankevič, V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. September 2011 45(9):1169-1172
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Wyświetlanie 41-60 z 520

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Klimov, E. A."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język