Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Klimov, E. A."" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Effect of GaAs (100) substrate misorientation on the electrical parameters and surface morphology of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT nanoheterostructures.
Autorzy:
Galiev, G.
Pushkarev, S.
Vasil'evskii, I.
Klimov, E.
Klochkov, A.
Maltsev, P.
Pokaż więcej
Temat:
INDIUM aluminum arsenide
SUBSTRATES (Materials science)
SURFACE morphology
INDIUM gallium arsenide
MODULATION-doped field-effect transistors
NANOSTRUCTURES
HETEROSTRUCTURES
Źródło:
Semiconductors; Jan2014, Vol. 48 Issue 1, p63-68, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Electrical and structural characteristics of metamorphic In0.38Al0.62As/In0.37Ga0.63As/In0.38Al0.62As HEMT nanoheterostructures.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Maltsev, P. P.
Pushkarev, S. S.
Zhigalina, O. M.
Imamov, R. M.
Kuskova, A. N.
Khmelenin, D. N.
Pokaż więcej
Temat:
MODULATION-doped field-effect transistors
HETEROSTRUCTURES
GALLIUM arsenide transistors
MOLECULAR beam epitaxy
ELECTRON gas
WURTZITE
NANOSTRUCTURED materials
Źródło:
Crystallography Reports; Nov2013, Vol. 58 Issue 6, p914-919, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths.
Autorzy:
Khabibullin, R. A.
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Ponomarev, D. S.
Vasil’evskii, I. S.
Kulbachinskii, V. A.
Bokov, P. Yu.
Avakyants, L. P.
Chervyakov, A. V.
Maltsev, P. P.
Pokaż więcej
Temat:
QUANTUM wells
GALLIUM aluminum arsenide
OPTICAL properties of metals
ELECTRIC properties of metals
MOLECULAR beams
ELECTRIC fields
PHOTOLUMINESCENCE
Źródło:
Semiconductors; Sep2013, Vol. 47 Issue 9, p1203-1208, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Persistent photoconductivity and electron mobility in InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP quantum-well structures.
Autorzy:
Kulbachinskii, V.
Lunin, R.
Yuzeeva, N.
Vasilievskii, I.
Galiev, G.
Klimov, E.
Pokaż więcej
Temat:
INDIUM gallium arsenide
PHOTOCONDUCTIVITY
ELECTRON mobility
QUANTUM wells
ELECTRONIC structure
NANOSTRUCTURED materials
CRYSTAL growth
Źródło:
Semiconductors; Jul2013, Vol. 47 Issue 7, p935-942, 8p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Study of new designs for the InAlAs metamorphic buffer on GaAs substrates with distributed compensation of elastic deformations.
Autorzy:
Galiev, G.
Pushkarev, S.
Vasil'evskii, I.
Klimov, E.
Imamov, R.
Pokaż więcej
Temat:
GALLIUM arsenide
SUBSTRATES (Materials science)
DEFORMATIONS (Mechanics)
ELASTICITY
ELECTRONIC structure
HIGH electron mobility transistor circuits
HETEROSTRUCTURES
Źródło:
Semiconductors; Jul2013, Vol. 47 Issue 7, p997-1002, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Electron mobilities in isomorphic InGaAs quantum wells on InP substrates.
Autorzy:
Kulbachinskii, V.
Lunin, R.
Yuzeeva, N.
Vasil'evskii, I.
Galiev, G.
Klimov, E.
Pokaż więcej
Temat:
QUANTUM wells
SUBSTRATES (Materials science)
GALLIUM arsenide
ISOMORPHISM (Crystallography)
ELECTRON mobility
PHOTOCONDUCTIVITY
LOW temperatures
QUANTIZATION (Physics)
Źródło:
Journal of Experimental & Theoretical Physics; May2013, Vol. 116 Issue 5, p755-759, 5p, 3 Charts, 3 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Study of the influence of strained superlattices introduced into a metamorphic buffer on the electrophysical properties and the atomic structure of InAlAs/InGaAs MHEMT heterostructures.
Autorzy:
Galiev, G.
Pushkarev, S.
Vasil'evskii, I.
Zhigalina, O.
Klimov, E.
Zhigalina, V.
Imamov, R.
Pokaż więcej
Temat:
HETEROSTRUCTURES
TRANSMISSION electron microscopy
SUPERLATTICES
MOLECULAR beam epitaxy
CRYSTAL structure
ATOMIC structure
ALUMINUM arsenide
Źródło:
Semiconductors; Apr2013, Vol. 47 Issue 4, p532-537, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts.
Autorzy:
Šilenas, A.
Požela, Yu.
Požela, K.
Jucienė, V.
Vasil'evskii, I.
Galiev, G.
Pushkarev, S.
Klimov, E.
Pokaż więcej
Temat:
DOPED semiconductors
INDIUM aluminum arsenide
HETEROSTRUCTURES
ELECTRON mobility
QUANTUM wells
DOPING agents (Chemistry)
ELECTRIC fields
Źródło:
Semiconductors; Mar2013, Vol. 47 Issue 3, p372-375, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Measurement of the concentration of 2D electrons in δ-doped InGaAs/GaAs pseudomorphic transistor structures using the photoluminescence spectroscopy.
Autorzy:
Yaremenko, N.
Galiev, G.
Vasil'evskii, I.
Klimov, E.
Karachevtseva, M.
Strakhov, V.
Pokaż więcej
Temat:
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
RESONANCE lamps
SPECTRUM analysis
FIELD-effect transistors
ELECTRONS
Źródło:
Journal of Communications Technology & Electronics; Mar2013, Vol. 58 Issue 3, p243-249, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Structural and electrophysical analysis of MHEMT InAlAs/InGaAs nanoheterostructures with different strain distributions in metamorphic buffer.
Autorzy:
Galiev, G.
Pushkarev, S.
Vasil'evskii, I.
Klimov, E.
Imamov, R.
Subbotin, I.
Pavlenko, E.
Kvanin, A.
Pokaż więcej
Temat:
ELECTRON mobility
FREE electron theory of metals
ENERGY-band theory of solids
PARTICLES (Nuclear physics)
ELECTRONS
Źródło:
Crystallography Reports; Nov2012, Vol. 57 Issue 6, p841-847, 7p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 3 Charts, 2 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Effects of phonon confinement on high-electric field electron transport in an InGaAs/InAlAs quantum well with an inserted InAs barrier.
Autorzy:
Požela, K.
Šilėnas, A.
Požela, J.
Jucienė, V.
Galiev, G.
Vasil'evskii, J.
Klimov, E.
Pokaż więcej
Temat:
PHONONS
ELECTRIC fields
ELECTRON transport
INDIUM gallium arsenide
DOPED semiconductors
QUANTUM wells
THICKNESS measurement
Źródło:
Applied Physics A: Materials Science & Processing; Oct2012, Vol. 109 Issue 1, p233-237, 5p, 1 Chart, 4 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts.
Autorzy:
Ponomarev, D.
Vasil'evskii, I.
Galiev, G.
Klimov, E.
Khabibullin, R.
Kulbachinskii, V.
Uzeeva, N.
Pokaż więcej
Temat:
ELECTRON mobility
EFFECTIVE mass (Physics)
ELECTRIC properties of indium gallium arsenide
QUANTUM wells
HETEROSTRUCTURES
ELECTRONIC band structure
ELECTRIC properties of nanocomposite materials
Źródło:
Semiconductors; Apr2012, Vol. 46 Issue 4, p484-490, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Scattering and electron mobility in combination-doped HFET-structures AlGaAs/InGaAs/AlGaAs with high electron density.
Autorzy:
Khabibullin, R.
Vasil'evskii, I.
Galiev, G.
Klimov, E.
Ponomarev, D.
Lunin, R.
Kulbachinskii, V.
Pokaż więcej
Temat:
ELECTRON scattering
ELECTRON mobility
DOPED semiconductors
ELECTRON distribution
GALLIUM arsenide
QUANTUM wells
HETEROSTRUCTURES
Źródło:
Semiconductors; Oct2011, Vol. 45 Issue 10, p1321-1326, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Structural and electrical properties of metamorphic nanoheterostructures with a high InAs content (37-100%) grown on GaAs and InP substrates.
Autorzy:
Galiev, G.
Vasil'evskii, I.
Imamov, R.
Klimov, E.
Pushkarev, S.
Subbotin, I.
Pokaż więcej
Temat:
HETEROSTRUCTURES
INDIUM arsenide
CRYSTAL growth
GALLIUM arsenide
INDIUM phosphide
NANOSTRUCTURED materials
ELECTRIC properties of materials
CHEMICAL structure
Źródło:
Crystallography Reports; Sep2011, Vol. 56 Issue 5, p875-879, 5p, 3 Charts, 2 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Electron mobility and drift velocity in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures.
Autorzy:
Vasil'evskii, I.
Galiev, G.
Klimov, E.
Požela, K.
Požela, J.
Jucienė, V.
Sužiedėlis, A.
Žurauskienė, N.
Keršulis, S.
Stankevič, V.
Pokaż więcej
Temat:
ELECTRON mobility
SEMICONDUCTOR doping
GALLIUM arsenide
HETEROSTRUCTURES
QUANTUM wells
CHARGE exchange
TEMPERATURE effect
Źródło:
Semiconductors; Sep2011, Vol. 45 Issue 9, p1169-1172, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Interrelation of the construction of the metamorphic InAlAs/InGaAs nanoheterostructures with the InAs content in the active layer of 76-100% with their surface morphology and electrical properties.
Autorzy:
Vasil'evskii, I.
Galiev, G.
Klimov, E.
Kvanin, A.
Pushkarev, S.
Pushkin, M.
Pokaż więcej
Temat:
GALLIUM arsenide
HETEROSTRUCTURES
ELECTRIC properties of metals
INDIUM arsenide
SURFACE chemistry
ELECTRON mobility
NANOSTRUCTURED materials
METAMORPHIC rocks
Źródło:
Semiconductors; Sep2011, Vol. 45 Issue 9, p1158-1163, 6p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies